[发明专利]频率合成器的频率校正装置及其方法

权利要求书

1.一种频率合成器的频率校正装置，相位差检测器对输入频率信号与由程序分频器所反馈的反馈频率信号进行相位差的检测，由充电泵发生升/降压后通过环路滤波器而输入至电压控制振荡器，通过程序分频器将电压控制振荡器的输出频率进行反馈的同时，通过频率比较器来对频率进行比较后，为达到目标频率而使记忆库选择器选择所述电压控制振荡器的VCO记忆库，其特征在于：在所述相位检测器与所述充电泵之间设置升/降处理器，从而在开环时由充电泵输出GND或VDD电压，在闭环时输出根据相位差而变化的升/降压，并对开环时输出所述GND或VDD电压的记忆库选择器的记忆库选择结果上，再加上偏移值后决定为最终VCO记忆库值。

2.如权利要求1所述的频率合成器的频率校正装置，其特征在于：所述升/降处理器包括：

根据记忆库选择器的开环控制信号而在开环时选择用于选择GND或VDD的模式控制信号，而在闭环时选择根据相位检测器的相位差而变化的升控制信号后，作为升控制信号(up-post)而输入至充电泵的第1多路复用器；以及

根据记忆库选择器的开环控制信号而在开环时选择用于选择GND或VDD的模式控制信号，而在闭环时选择根据相位检测器的相位差而变化的降控制信号后，作为降控制信号而输入至充电泵的第2多路复用器，所述充电泵在输入所述模式控制信号时，根据相应的模式控制信号而将GND或VDD电压作为电压控制振荡器(VCO)的控制电压而输出。

3.一种频率合成器的频率校正控制方法，在开环时将GND或VDD电压输入至电压控制振荡器，并对电压控制振荡器所输出的目前频率与目标频率进行比较后，选择出电压控制振荡器的VCO记忆库，其特征在于：包括：

将开环控制时电压控制振荡器所输出的频率与目标频率进行比较，由此对所述电压控制振荡器的VCO记忆库进行更新，并选择出其频率能达到最接近目标频率的记忆库的开环校正过程；

对所述开环校正过程中所选择的VCO记忆库，进行已设的偏移值大小的记忆库补偿的偏移补偿过程；以及

将所述偏移补偿过程中根据记忆库而更新的目前频率与以前频率进行比较后判断是否发生记忆库逆转，当发生缩呢个记忆库逆转时，更新记忆库顺序，直到找出能发生出与发生了记忆库逆转的记忆库频率相同频率的下一顺序的记忆库，从而对记忆库逆转偏移进行补偿后，再返回到所述偏移补偿过程的记忆库逆转偏移补偿过程。

4.如权利要求3所述的频率合成器的频率校正控制方法，其特征在于：所述开环校正过程包括：

将最小记忆库初始化为低记忆库，将最大记忆库初始化为高记忆库的初始化阶段；

将低记忆库与高记忆库的中间记忆库设定为目前记忆库的记忆库更新阶段；

对所述记忆库更新阶段所选择的目前记忆库的震荡频率进行检测的频率检测阶段；

对所述频率检测阶段所检测到的频率与目标频率进行比较后，将所述低记忆库或高记忆库更新为目前记忆库的记忆库确认阶段；

对所述记忆库确认阶段中被更新的低记忆库与高记忆库进行比较来判断是否相同，当低记忆库与高记忆库为相同的记忆库时结束开环校正，当低记忆库与高记忆库不同时返回到所述记忆库更新阶段的判断结束开环校正阶段。

5.如权利要求3所述的频率合成器的频率校正控制方法，其特征在于：偏移补偿过程包括：

对所述开环校正过程中被选择的记忆库进行已设定的偏移值大小的记忆库更新，从而判断偏移补偿是否结束的偏移补偿判断阶段；

偏移补偿判断阶段的偏移补偿没有结束时，在GND模式下增加记忆库号码，而在VDD模式下减少记忆库号码，从而对目前记忆库进行更新的记忆库更新阶段；

将所述记忆库更新阶段中被更新的记忆库选择为目前记忆库后，对电压控制荡器所输出的频率进行检测的频率检测阶段；以及

通过对以前记忆库值下的频率与目前记忆库值下的频率进行比较，从而判断是否为记忆库逆转，当不是记忆库逆转时，返回到所述偏移补偿判断阶段，而在记忆库逆转时执行记忆库逆转偏移补偿过程的记忆库逆转判断阶段。

6.如权利要求3所述的频率合成器的频率校正控制方法，其特征在于，

记忆库逆转偏移补偿过程包括：

根据选择的GND/VDD模式而变化的目前记忆库值与，考虑了目前记忆库所被允许的记忆库逆转大小的记忆库值分别设定为低记忆库与高记忆库的记忆库逆转偏移初始化阶段；

将降低记忆库与高记忆库的中间记忆库设定为目前记忆库的记忆库更新阶段；

设定目前记忆库后，选择相应的记忆库后对电压控制振荡器所输出的频率进行检测的频率检测阶段；

将所述频率检测阶段所检测出来的目前频率与，记忆库逆转起始记忆库中的频率进行比较后将所述低记忆库或所述高记忆库更新为目前记忆库的记忆库确认阶段；以及

记忆库确认结束时，判断低记忆库与高记忆库是否相同，并在低记忆库与目前记忆库相同时判断为记忆库逆转偏移补偿已结束，并返回到所述偏移补偿过程，当低记忆库与高记忆库不同时，返回到所述记忆库更新阶段并重复执行的记忆库逆转偏移补偿结束判断阶段。