[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在透明基板上沉积第一透明导电薄膜及第一金属薄膜，对既定区域进行构图，形成包括栅线、栅电极、公共电极以及公共电极线的图形；

步骤2、沉积栅绝缘薄膜、半导体薄膜及掺杂半导体薄膜，对既定区域进行构图，形成包括PAD区域的栅线连接孔以及半导体层的图形；

步骤3、沉积第二金属薄膜，对既定区域进行构图，沉积第二透明导电薄膜，进行离地剥离工艺，并刻蚀既定区域的第二金属薄膜及掺杂半导体薄膜，形成包括源电极、漏电极、TFT沟道以及像素电极的图形。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，其中所述步骤1具体包括：

步骤11：在透明基板上依次沉积第一透明导电薄膜和第一金属薄膜；

步骤12：涂覆光刻胶，并采用第一半色调掩膜板进行曝光及显影处理，使得所述光刻胶的不曝光区域对应阵列基板的栅线、栅电极以及公共电极线的区域，部分曝光区域对应阵列基板的公共电极的区域，完全曝光区域对应其余区域；

步骤13：进行第一刻蚀工艺，去掉所述完全曝光区域的第一金属薄膜及第一透明导电薄膜，形成了包括栅线、栅电极、公共电极及公共电极线的图形；

步骤14：对光刻胶进行灰化工艺，暴露出了部分曝光区域的第一金属薄膜；

步骤15：进行第二刻蚀工艺，去掉部分曝光区域的第一金属薄膜，暴露出了公共电极；

步骤16：剥离光刻胶。

3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，其中所述步骤2具体包括：

步骤21：在步骤1的得到的结构上沉积了栅绝缘薄膜、半导体薄膜及掺杂半导体薄膜；

步骤22：涂覆光刻胶，并采用第二半色调掩膜板进行曝光及显影处理，使得光刻胶的不曝光区域对应TFT沟道的区域，完全曝光区域对应阵列基板的PAD区域的栅线的区域，部分曝光区域对应其余区域；

步骤23：进行第三刻蚀工艺，去掉所述完全曝光区域的掺杂半导体薄膜、半导体薄膜及栅绝缘薄膜，暴露出了PAD区域的栅线，形成了PAD区域栅线连接孔及栅绝缘层的图形；

步骤24：对光刻胶进行灰化工艺，暴露出部分曝光区域的掺杂半导体薄膜；

步骤25：在进行第四刻蚀工艺，去掉了所述部分曝光区域的掺杂半导体薄膜、半导体薄膜及栅绝缘薄膜，形成了包括半导体层的图形；

步骤26：剥离光刻胶。

4.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，其中所述步骤3具体包括：

步骤31：在步骤2得到的结构上沉积了第二金属薄膜；

步骤32：涂覆光刻胶，并采用第三半色调掩膜板进行曝光及显影处理，使得光刻胶的完全曝光区域对应阵列基板的像素电极的区域，部分曝光区域对应源电极、漏电极及PAD区域的栅线、PAD区域的数据线以及PAD区域的公共电极线的区域，不曝光区域对应其余区域；

步骤33：进行第五刻蚀工艺，去掉所述完全曝光区域的所述第二金属薄膜600；

步骤34：对所述光刻胶进行灰化工艺，暴露出了所述部分曝光区域的第二金属薄膜；

步骤35：沉积第二透明导电薄膜；

步骤36：进行离地剥离工艺，形成像素电极的图形；

步骤37：进行第六刻蚀工艺，去掉暴露出的第二金属薄膜及掺杂半导体薄膜，形成了源电极、漏电极以及TFT沟道的图形。

5.一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤100、在透明基板上沉积第一透明导电薄膜及第一金属薄膜，对既定区域进行构图，形成包括栅线、栅电极、像素电极以及公共电极线的图形；

步骤200、沉积栅绝缘薄膜、半导体薄膜及掺杂半导体薄膜，对既定区域进行构图，形成包括过孔、PAD区域的栅连接孔以及半导体层的图形；

步骤300、沉积第二金属薄膜，对既定区域进行构图，沉积第二透明导电薄膜，进行离地剥离工艺，并刻蚀既定区域的第二金属薄膜及掺杂半导体薄膜，形成包括源电极、漏电极、TFT沟道以及公共电极的图形。