[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)是一种主要的平板显示装置(Flat Panel Display，简称为FPD)。

根据驱动液晶的电场方向，TFT-LCD分为垂直电场型和水平电场型。其中，垂直电场型TFT-LCD需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极；然而水平电场型TFT-LCD需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极。因此，制作水平电场型TFT-LCD的阵列基板时，需要额外增加一次形成公共电极的构图工艺。垂直电场型TFT-LCD包括：扭曲向列(TwistNematic，简称为TN)型TFT-LCD；水平电场型TFT-LCD包括：边缘场切换开关(Fringe Field Switching，简称FFS)、高级超维场开关(Advanced-SuperDimensional Switching；简称：AD-SDS)型TFT-LCD和共平面切换(In-PlaneSwitching，简称为IPS)型TFT-LCD。水平电场型TFT-LCD，尤其是FFS和AD-SDS型TFT-LCD具有广视角、开口率高等优点，广泛应用于液晶显示器领域。AD-SDS通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维空间复合电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方以及液晶盒上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。

目前，FFS或AD-SDS型TFT-LCD阵列基板是通过多次构图工艺形成结构图形来完成，每一次构图工艺中又分别包括掩膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺，其中刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀，所以构图工艺的次数可以衡量制造TFT-LCD阵列基板的繁简程度，减少构图工艺的次数就意味着制造成本的降低。现有技术的FFS或AD-SDS型TFT-LCD阵列基板六次构图工艺包括：公共电极构图、栅线和栅电极构图、有源层构图、源电极/漏电极构图、过孔构图和像素电极构图。

现有技术中公开有大量的，通过减少构图工艺次数来降低制造成本，并通过工艺的简化来提高生产效率的技术文献。

现有的4次构图工艺制造FFS或AD-SDS型液晶显示器的阵列基板的方法如下：

步骤1、沉积第一金属薄膜，通过第一构图工艺利用普通掩膜板形成栅线、公共电极线和栅电极的图形；

步骤2、沉积栅绝缘薄膜、有源层(半导体层和掺杂半导体层)薄膜，通过第二构图工艺利用普通掩膜板形成有源层(ACTIVE)的图形；

步骤3、依次沉积第一透明导电薄膜和第二金属薄膜，通过第三次构图工艺利用双调掩膜板形成像素电极、源电极、漏电极及TFT沟道；

步骤4、沉积钝化层及第二透明导电层，通过第四次构图工艺利用双调掩膜板形成钝化层、连接孔(用于将公共电极与公共电极线连接)、PAD区域连接孔(PAD区域为将驱动电路板的引线和阵列基板进行压接的区域，通过PAD区域连接孔将引线与阵列基板上的栅线、数据线及公共电极线等电连接)以及公共电极的图形。

为了增强市场竞争力，提高市场的占有率，需要不断研发更加低成本的TFT-LCD阵列基板。

虽然，上述的液晶显示器的阵列基板的制造方法中，虽然仅通过一次构图工艺就完成了像素电极、源电极、漏电极及TFT沟道的图形，节省了成本，但是本发明的发明人在实践中发现，这种现有的方法的到的会导致液晶显示器的显示性能降低的缺陷。

下面结合附图1A和图1B详述此缺陷。

请一并参阅图1A、图1B，图1A为现有的FFS或AD-SDS型TFT-LCD阵列基板的平面示意图。图1B为图1的A-A向剖面图。