[发明专利]金属氧化物半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体结构，其特征在于具有：

一基板；

一栅电极，其沉积于该基板上方的一金属导体，用以与一栅极驱动信号耦接；

一闸绝缘层，其沉积于该栅电极及该基板上方的一绝缘层；

一IGZO层，其沉积于该闸绝缘层上方的一铟镓锡氧化物层，用以充作一通道；

一源电极，其沉积于该IGZO层一侧的一金属导体，用以与一源极驱动信号耦接；

一漏电极，其沉积于该IGZO层另一侧的一金属导体，用以与一画素电极耦接；

一第一钝化层，其沉积于该源电极、该IGZO层、及该漏电极上方的一第一硅化合物层；

一第二钝化层，其沉积于该第一钝化层上方的一第二硅化合物层；以及

一树脂层，其沉积于该源电极、该第二钝化层、及该漏电极上方的一不透明树脂层。

2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体结构，其特征在于，该基板包含玻璃或软性塑料。

3.如权利要求2所述的金属氧化物半导体结构，其特征在于，该栅电极包含Mo/Cr合金或Al/Nd合金。

4.如权利要求3所述的金属氧化物半导体结构，其特征在于，该闸绝缘层具有一上凸区域且其包含氧化硅或氮化硅。

5.如权利要求4所述的金属氧化物半导体结构，其特征在于，该IGZO层具有一上凸区域。

6.如权利要求5所述的金属氧化物半导体结构，其特征在于，该源电极呈一阶梯状且其包含Mo/Cr合金或Al/Nd合金。

7.如权利要求6所述的金属氧化物半导体结构，其特征在于，该漏电极呈一阶梯状且其包含Mo/Cr合金或Al/Nd合金。

8.如权利要求7所述的金属氧化物半导体结构，其特征在于，该第一钝化层具有一下凹区域且所述的第一硅化合物层包含氧化硅。

9.如权利要求8所述的金属氧化物半导体结构，其特征在于，该第二钝化层具有一下凹区域且所述的第二硅化合物层包含氮化硅。

10.如权利要求9所述的金属氧化物半导体结构，其特征在于，该树脂层的颜色为黑色。

11.如权利要求4所述的金属氧化物半导体结构，其特征在于，该IGZO层具有一下凹区域。

12.一种金属氧化物半导体结构的制造方法，其具有以下步骤：

在一基板上方沉积一栅电极；

在该栅电极及该基板上方沉积一闸绝缘层；

在该闸绝缘层上方沉积一IGZO层，其中该IGZO层充作一通道；

在该IGZO层的一侧沉积一源电极；

在该IGZO层的另一侧沉积一漏电极；

在该源电极、该IGZO层、及该漏电极上方沉积一第一钝化层；

在该第一钝化层上方沉积一第二钝化层；以及

在该源电极、该第二钝化层、及该漏电极上方沉积一不透明树脂层。

13.如权利要求12所述的金属氧化物半导体结构的制造方法，其特征在于，所述的基板包含玻璃或软性塑料，且所述的栅电极包含Mo/Cr合金或Al/Nd合金。

14.如权利要求13所述的金属氧化物半导体结构的制造方法，其特征在于，所述的闸绝缘层中间具有一上凸区域且所述的闸绝缘层包含氧化硅或氮化硅。

15.如权利要求14所述的金属氧化物半导体结构的制造方法，其特征在于，所述的IGZO层具有一上凸区域。

16.如权利要求15所述的金属氧化物半导体结构的制造方法，其特征在于，所述的源电极呈一阶梯状且其包含Mo/Cr合金或Al/Nd合金。

17.如权利要求16所述的金属氧化物半导体结构的制造方法，其特征在于，所述的漏电极呈一阶梯状且其包含Mo/Cr合金或Al/Nd合金。

18.如权利要求17所述的金属氧化物半导体结构的制造方法，其特征在于，所述的第一钝化层具有一下凹区域且其包含氧化硅。

19.如权利要求18所述的金属氧化物半导体结构的制造方法，其特征在于，所述的第二钝化层具有一下凹区域且其包含氮化硅。