[发明专利]具有抑制特性偏移的结构的薄膜晶体管面板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管面板，包括：

基板(1)；

薄膜晶体管(3)，形成在所述基板(1)上，具有栅电极(6)、栅绝缘膜(7)、半导体薄膜(8)、在所述半导体薄膜(8)上形成的一对欧姆接触层(10、11)、以及在所述各欧姆接触层(10、11)上形成的源电极(12)和漏电极(13)，所述半导体薄膜(8)在所述源电极(12)和所述漏电极(13)之间具有沟道区域；

过覆膜(18)，设置在所述薄膜晶体管(3)上；

像素电极(2)，设置在过覆膜(18)上，且与所述薄膜晶体管(3)的所述源电极(12)连接；以及

第一和第二导电性被覆膜(14、15)，设置在与所述源电极(12)和所述漏电极(13)的上部对应的所述过覆膜(18)上，由与所述像素电极(2)相同的材料形成；

所述第一导电性被覆膜(14)被设置为宽度比所述源电极(12)的宽度宽，

所述第二导电性被覆膜(15)被设置为宽度比所述漏电极(13)的宽度宽，并且通过设置在所述过覆膜(18)中的接触孔(20)与所述漏电极(13)连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述第一导电性被覆膜(14)设置成在所述源电极(12)上的所述过覆膜(18)的上表面与所述像素电极(2)连续，通过设置在所述过覆膜(18)中的接触孔(19)与所述源电极(12)连接。

3.一种薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在基板(1)上形成薄膜晶体管(3)，该薄膜晶体管(3)在栅电极(6)上隔着栅绝缘膜(7)设置有半导体薄膜(8)，在所述半导体薄膜(8)上设置有一对欧姆接触层(10、11)，在所述各欧姆接触层(10、11)上设置有源电极(12)和漏电极(13)；

在所述薄膜晶体管(3)上对像素电极形成用膜(27)进行成膜，

刻蚀所述像素电极形成用膜(27)形成与所述薄膜晶体管(3)的所述源电极(12)连接的像素电极(2)、源极侧导电性被覆膜(14)及漏极侧导电性被覆膜(15)；该源极侧导电性被覆膜(14)做成在所述源电极(12)的上部，宽度比所述源电极(12)的宽度更宽，并且完全覆盖沟道区域的外侧区域的所述源电极(12)；该漏极侧导电性被覆膜(15)做成在所述漏电极(13)的上部，宽度比所述漏电极(13)的宽度更宽，并且完全覆盖沟道区域的外侧区域中的所述漏电极(13)，并且与所述漏电极电连接。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于，所述像素电极形成用膜(27)由ITO构成。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于，所述像素电极(2)和所述源极侧导电性被覆膜(14)被电连接。