[发明专利]一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法

权利要求书

1.一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法，其特征在于：按以下步骤进行：

1）预刻蚀，以去除金属层表面氧化物及ARC层；

2）刻蚀1/2~2/3厚度的铝介质层；

3）刻蚀剩余1/3~1/2厚度的铝介质层，并去除残留物层。

2.根据权利要求1所述的一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法，其特征在于：所述步骤2）中对铝介质层的平均刻蚀速率为700~1000                                                /min，刻蚀均匀性为1~5%，Al/SiO₂选择比为8.0~10.0。

3.根据权利要求1或2所述的一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法，其特征在于：所述步骤2）中刻蚀腔体压力为20~50mTorr，射频最大为2000W，直流电压为180~220V，BCl₃的流量为80~90SCCM，Cl₂的流量为20~40SCCM，CHF₃的流量为10~20SCCM，刻蚀时间为15~25min。

4.根据权利要求1所述的一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法，其特征在于：所述步骤3）中对铝介质层的平均刻蚀速率为1200~1500/min，刻蚀均匀性为5.5~8.0%，Al/SiO₂选择比为15~20。

5.根据权利要求1或4所述的一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法，其特征在于：所述步骤3）中刻蚀腔体压力为20~50mTorr，射频最大为2000W，直流电压为180~220V，BCl₃的流量为90~110SCCM，Cl₂的流量为40~60SCCM，CHF₃的流量为10~20SCCM，刻蚀时间为不超过25min。

6.根据权利要求3或5所述的一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法，其特征在于：所述步骤2）中形成的刻蚀剖面的最大斜度α为87~89°，所述步骤3）中形成的刻蚀剖面的最大斜度β为84~87°。

7.根据权利要求1所述的一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法，其特征在于：所述步骤1）中刻蚀腔体压力为20~50mTorr，射频最大为2000W，直流电压为250~270V，BCl₃的流量为80~110SCCM，Cl₂的流量为10~20SCCM，CHF₃的流量为10~20SCCM，刻蚀时间为不超过2~5min。

8.根据权利要求1所述的一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法，其特征在于：所述步骤1）进行前，先在铝介质层表面淀积一层2.0~3.5μm纯铝或者铝硅铜合金，并在其上光刻形成所需图形作为刻蚀掩护。

9.根据权利要求8所述的一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法，其特征在于：刻蚀结束后，去除光刻胶，形成金属连线结构。