[发明专利]电介质陶瓷组合物的制造方法和电子部件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及电介质陶瓷组合物的制造方法和电子部件的制造方法，进而详细地，涉及制造电介质陶瓷组合物和电介质层中具有该电介质陶瓷组合物的电子部件的方法，所述电介质陶瓷组合物即使在容量温度特性的绝对值大的情况下，也可以在宽的温度范围，使容量变化率相对于该绝对值为规定的范围。

背景技术

所谓VR(Voltage Regulator，调压器)，是使驱动笔记本型电脑等的CPU的DC/DC转换器的电压恒定的装置。该VR的输出电流通过感应器的电阻(Rdc)检测。但是，由于发热等，Rdc发生变化，由此有检测值产生误差的问题，期望在宽的温度范围能够正常使用。

因此，现状是采用通过使用NTC热敏电阻来补正误差的方法。

此外，VR装置的回路中通常使用电容器，例如，通过使用具有-5000ppm/℃左右的绝对值大的容量温度特性的电容器，认为可以补正该误差。通过使用该方法，不需要NTC热敏电阻，具有成本上的优点。

但是，由于期望电容器的容量温度特性的绝对值小(容量变化相对于温度变化小)，现状是几乎没有容量温度特性的绝对值大的电容器的报道。并且，即使是通常的电容器的容量温度特性的绝对值最大的情况，也不过是-1000ppm/℃或者350ppm/℃左右。

日本实开平5-61998号公报中公开了具有-1500～-5000ppm/℃的容量温度特性、进而使用含有SrTiO₃20～95重量％的陶瓷作为电介质的陶瓷电容器。但是，日本实开平5-61998号公报的陶瓷电容器的电介质层的组成有不明的部分，对于其它成分完全没有记载。此外，也没有记载在怎样的温度范围下能够具有上述的容量温度特性。

发明内容

鉴于这样的现状，本发明目的是提供制造电介质陶瓷组合物和电介质层中具有该电介质陶瓷组合物的电子部件的方法，所述电介质陶瓷组合物即使在容量温度特性的绝对值大的情况下，也可以在宽的温度范围，使容量变化率相对于该绝对值为规定的范围。

本发明人为了实现上述目的进行了努力研究，结果发现，通过使用组成不同的多种原料作为主成分的原料，可以制造具有大的容量温度特性(例如-7000～-3000ppm/℃)的电介质陶瓷组合物，从而完成了本发明。

为了实现上述目的，本发明的电介质陶瓷组合物的制造方法，是制造具有用通式(Ba_1-x-ySr_xCa_y)_m(Ti_1-zZr_z)O₃表示的主成分的电介质陶瓷组合物的方法，其特征在于，具有：

准备用通式(Ba_1-x1-ySr_x1Ca_y)_m(Ti_1-zZr_z)O₃表示的第1主成分的原料和用通式(Ba_1-x2-ySr_x2Ca_y)_m(Ti_1-zZr_z)O₃表示的第2主成分的原料的工序、

将上述第1主成分的原料和上述第2主成分的原料混合，得到上述主成分的原料的工序、

将上述主成分的原料进行烧成的工序，

在上述主成分的摩尔数为1、上述第1主成分的摩尔数为a、上述第2主成分的摩尔数为b时，a+b＝1、a∶b＝20∶80～80∶20，

上述x、x1、x2、a和b满足0.20≤x≤0.40、x＝(ax1+bx2)、x1/x2≥1.05的关系，

上述y满足0≤y≤0.20，

上述z满足0≤z≤0.30，

上述m满足0.950≤m≤1.050。

优选上述电介质陶瓷组合物具有：

包含Mg的氧化物的第1副成分、

包含选自Mn或Cr的至少1种元素的氧化物的第2副成分、

包含R的氧化物(其中，R为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho和Yb中的至少1种)的第3副成分，和

包含含有Si的氧化物的第4副成分，

相对于上述主成分100摩尔，各副成分的比率为：

第1副成分：0.5～5摩尔，以元素换算，

第2副成分：0.05～2摩尔，以元素换算，

第3副成分：1～8摩尔，以元素换算，

第4副成分：0.5～5摩尔，以氧化物、或复合氧化物换算。