[发明专利]发光器件、发光器件封装及照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构层，所述发光结构层包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层，所述有源层位于所述第一导电型半导体层下方，所述第二导电型半导体层位于所述有源层下方；

导电层，所述导电层位于所述第二导电型半导体层下方；

粘附层，所述粘附层位于所述导电层下方；

支撑构件，所述支撑构件位于所述粘附层下方；

接触电极，所述接触电极连接到所述第一导电型半导体层；

第一引线电极，所述第一引线电极布置在所述支撑构件下方；

第一电极，所述第一电极将所述接触电极连接到所述第一引线电极，所述第一电极布置在所述支撑构件的第一区域处；

第二电极，所述第二电极连接到所述导电层和所述粘附层中的至少一个，所述第二电极布置在所述支撑构件的第二区域处；

第二引线电极，所述第二引线电极连接到所述第二电极，所述第二引线电极布置在所述支撑构件下方；以及

第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述接触电极与所述发光结构层之间。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极和所述第二电极布置在所述支撑构件的不同侧表面处。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述支撑构件包括绝缘材料，并且，所述第一电极和所述第二电极布置到所述支撑构件的内部区域，

其中，所述第一电极和所述第二电极之间的间隔比所述发光结构层的宽度宽。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个从所述支撑构件的顶表面突出。

5.根据权利要求4所述的发光器件，还包括：

第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一电极和所述粘附层的横向侧之间，

其中，所述第二绝缘层包括：内侧部分，所述内侧部分布置在所述发光结构层与所述粘附层之间的外周部分上；以及外侧部分，所述外侧部分布置在比所述发光结构层的横向侧更向外的部分处。

6.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述粘附层包括：

第一粘附层，所述第一粘附层位于所述导电层下方；以及

第二粘附层，所述第二粘附层位于所述第一粘附层与所述支撑构件之间，其中，所述第二电极的一部分突出到比所述粘附层的顶表面高的高度。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述导电层包括：

第一导电层，所述第一导电层与所述第二导电型半导体层的下表面形成欧姆接触；以及

第二导电层，所述第二导电层包括反射金属，所述第二导电层布置在所述第一导电层下方。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极和所述接触电极中的至少一个在所述发光结构层的厚度方向上与所述发光结构层重叠，并且所述接触电极与所述第一导电型半导体层的N面或Ga面接触。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一导电型半导体层的顶表面是N面，并且，所述接触电极的一部分与所述第一导电型半导体层的顶表面接触。

10.根据权利要求8所述的发光器件，还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层布置在所述接触电极的外周部分上，所述电流阻挡层与所述第二导电型半导体层的下表面接触。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述接触电极的一部分接触所述第一导电型半导体层的顶表面的一部分，并且，所述接触电极的所述一部分与所述第二电极之间的间隔等于或大于所述发光结构层的宽度。

12.根据权利要求1所述的发光器件，还包括电流扩展层，所述电流扩展层位于所述接触电极的一部分与所述第一导电型半导体层之间。

13.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一导电型半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层下方，并且所述第一半导体层的掺杂浓度高于所述第二半导体层的掺杂浓度。

14.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述支撑构件包括绝缘材料，并且所述接触电极包括多个接触电极。

15.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极和所述第二电极布置在沿着所述发光结构层的厚度方向不与所述发光结构层重叠的区域上。