[发明专利]发光器件、发光器件封装及照明系统

说明书

技术领域

实施例涉及一种发光器件、发光器件封装及照明系统。

背景技术

由于其物理和化学特性，III-V族氮化物半导体已广泛用作诸如发光二极管(LED)或激光二极管(LD)等的发光器件的主要材料。通常，III-V族氮化物半导体包括具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)复合化学式的半导体材料。

LED是一种半导体器件，其通过利用化合物半导体的特性将电信号转换成红外线或可见光来传送/接收信号。LED还用作光源。

使用氮化物半导体材料的LED或LD主要用于提供光的发光器件。例如，该LED或LD用作诸如蜂窝电话的键盘发光部分、电子标识牌、以及照明装置等的各种产品的光源。

发明内容

实施例提供了具有新颖的竖直电极型结构的发光器件。

实施例提供了在半导体层上不具有焊盘的竖直型发光器件。

根据实施例的发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电型半导体层、位于该第一导电型半导体层下方的有源层、以及位于有源层下方的第二导电型半导体层；导电层，该导电层位于第二导电型半导体层下方；粘附层，该粘附层位于导电层下方；支撑构件，该支撑构件位于粘附层下方；接触电极，该接触电极连接到第一导电型半导体层；第一引线电极，该第一引线电极位于支撑构件下方；第一电极，该第一电极位于支撑构件的第一区域上并将接触电极连接到第一引线电极；第二电极，该第二电极位于支撑构件的第二区域上，并连接到导电层和粘附层中的至少一个；第二引线电极，该第二引线电极位于支撑构件下方，并连接到第二电极；以及第一绝缘层，该第一绝缘层位于所述接触电极与发光结构层之间。

根据实施例的发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电型半导体层、位于该第一导电型半导体层下方的有源层、以及位于有源层下方的第二导电型半导体层；导电层，该导电层位于第二导电型半导体层下方；粘附层，该粘附层位于导电层下方；支撑构件，该支撑构件位于粘附层下方；第二电极，该第二电极位于支撑构件的第一区域上并连接到粘附层；第一电极，该第一电极位于支撑构件的第二区域上并连接到导电层；接触电极，该接触电极从粘附层延伸到第一导电型半导体层的内部；绝缘层，该绝缘层在第一电极、第二电极以及所述接触电极的至少一侧上；第一引线电极，该第一引线电极位于支撑构件下方并连接到第一电极；以及第二引线电极，该第二引线电极位于支撑构件下方并连接到第二电极。

根据实施例的发光器件封装包括：主体；第一引线框架和第二引线框架，该第一引线框架和第二引线框架位于所述主体上；发光器件，该发光器件位于第一引线框架和第二引线框架中的至少一个上；以及成型构件，该成型构件用于成型所述发光器件，其中，该发光器件可以包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电型半导体层、位于第一导电型半导体层下方的有源层以及位于有源层下方的第二导电型半导体层；导电层，该导电层位于第二导电型半导体层下方；粘附层，该粘附层位于导电层下方；支撑构件，该支撑构件位于粘附层下方；接触电极，该接触电极连接到第一导电型半导体层；第一引线电极，该第一引线电极位于支撑构件下方；第一电极，该第一电极在支撑构件的第一区域上，并将所述接触电极连接到第一引线电极；第二电极，该第二电极位于支撑构件的第二区域上，并连接到导电层和粘附层中的至少一个；第二引线电极，该第二引线电极位于支撑构件下方，并连接到第二电极；以及第一绝缘层，该第一绝缘层位于所述接触电极与发光结构层之间。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的侧视截面图；

图2至图10是示出用于制造图1所示的发光器件的过程的截面图；

图11是示出根据第二实施例的发光器件的侧视截面图；

图12是示出根据第三实施例的发光器件的侧视截面图；

图13是示出根据第四实施例的发光器件的侧视截面图；

图14是示出根据第五实施例的发光器件的侧视截面图；

图15是示出根据第六实施例的发光器件的侧视截面图；

图16是示出根据第七实施例的发光器件的侧视截面图；

图17是示出根据第八实施例的发光器件的侧视截面图；

图18是示出根据实施例的发光器件封装的侧视截面图；

图19是示出根据一实施例的显示装置的图；

图20是示出根据一实施例的另一显示装置的图；并且

图21是示出根据一实施例的照明装置的图。

具体实施方式