[发明专利]最小化芯片边缘缺陷的方法及系统

权利要求书

1.一种配置相邻芯片的芯片相邻边的方法，所述相邻芯片位于形成在半导体衬底层上的半导体芯片阵列中，所述芯片阵列中的每一芯片包括设置于所述衬底层上的电路层，所述电路层具有电路层厚度，所述衬底层具有衬底层厚度，所述方法包括：

沿芯片相邻边刻蚀沟道至超过所述电路层厚度的深度；以及

划沟槽至穿透所述衬底层厚度的深度，所述沟槽沿所述刻蚀沟道对准地被划刻，并且部分地包含所述沟道。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体芯片阵列包括成像芯片阵列。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述成像芯片阵列中的成像芯片包括CCD图像传感器阵列。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述成像芯片阵列中的成像芯片包括CMOS图像传感器阵列。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体芯片阵列包括由存储器、处理器、微机械元件和光学元件组成的元件组中选择的元件。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述刻蚀包括化学刻蚀。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述划刻包括通过机械式锯切的划刻。

8.根据权利要求1所述的方法，包括划刻以使所述沟槽与所述沟道的所述芯片相邻边间隔2至8微米的距离。

9.一对相邻芯片，位于成像装置的半导体芯片阵列中，所述一对相邻芯片包括具有第一相邻边的第一芯片与具有第二相邻边的第二芯片，所述第一与第二芯片相邻边被相邻地对准，所述一对相邻芯片的每一个芯片具有位于衬底层上的电路层，所述电路层具有电路层厚度，所述衬底层具有衬底层厚度，所述一对相邻芯片包括：

各自的第一与第二沟道，所述第一与第二沟道被刻蚀至超过所述电路层厚度的深度，所述沟道对大体上与各自的所述第一相邻边及所述第二相邻边重合；以及

各自的第一与第二划刻沟槽壁，所述第一与第二划刻沟槽壁被相邻地设置；

其中，在沿各自的所述第一与第二相邻边形成有各自的第一与第二刻蚀肩状残留，所述第一与第二刻蚀肩状残留提供由所述刻蚀沟道至各自的所述第一与第二划刻沟槽壁的过渡。

10.根据权利要求9所述的一对相邻芯片，其中所述成像装置的芯片包括CCD图像传感器阵列。

11.根据权利要求9所述的一对相邻芯片，其中所述成像装置的芯片包括CMOS图像传感器阵列。

12.根据权利要求9所述的一对相邻芯片，其中所述相邻芯片对包括由存储器、处理器、微机械元件和光学元件组成的元件组中选择的元件。