[发明专利]NandFlash控制器中错误校正码模块的测试方法及系统无效

专利信息
申请号: 201110040836.0 申请日: 2011-02-18
公开(公告)号: CN102646453A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 葛保建;谢树;黄杰成;操冬华;张宇;胡胜发 申请(专利权)人: 安凯(广州)微电子技术有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵景平;逯长明
地址: 510663 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: nandflash 控制器 错误 校正 模块 测试 方法 系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及芯片测试技术领域,更具体地说,涉及一种NandFlash控制器中错误校正码模块的测试方法及系统。

背景技术

芯片验证是保证芯片功能的必要环节,对于芯片验证过程中,有些涉及到较多复杂逻辑的模块,需要特别的方法来覆盖到其所包括的逻辑。

Flash存储器又称闪存,是存储芯片的一种,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据。NandFlash内存是flash内存的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NandFlash存储器具有容量较大、改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

NandFlash的控制逻辑比较复杂,对时序要求也十分严格,而且最重要的是NandFlash中允许存在一定的坏块,而且坏块在使用过程中还可能增加,这就给判断坏块、给坏块做标记和擦除等操作带来很大的难度,于是就要求有一个控制器,即NandFlash控制器,使系统用户能够方便地使用NandFlash。

在现有的NandFlash控制器中,通常带有ECC(Error Correction Code,错误校正码)模块,用来对NandFlash中的数据进行校验修正,现在大部分NandFlash支持4bit/8bit/12bit/24bit/32bit的ECC纠错模式。通常芯片内部的ECC纠错逻辑较为复杂,所以需要针对芯片内部的ECC功能进行详细地验证,以保证其功能正确无误,进而保证NandFlash读写数据的正确。但现有技术中还没有对ECC模块纠错逻辑是否正确进行验证的有效方案。

发明内容

本发明实施例提供一种NandFlash控制器中错误校正码模块的测试方法及系统,实现对ECC模块的验证,保证其逻辑功能的正确性。

为此,本发明实施例提供如下技术方案:

一种NandFlash控制器中错误校正码模块的测试方法,包括:

产生预定个数的随机数据;

获取所述随机数据的ECC校验数据;

根据所述随机数据生成测试数据;

在关闭ECC功能的模式下将所述测试数据和所述ECC校验数据写入NandFlash;

在开启ECC功能的模式下从所述NandFlash中读取写入的测试数据;

如果ECC模块报错,则确定所述ECC模块功能正常;否则确定所述ECC模块功能异常。

优选地,所述获取所述随机数据的ECC数据包括:

在开启ECC功能的模式下将所述随机数据写入NandFlash;

在关闭ECC功能的模式下从所述NandFlash中读出所述ECC模块生成的ECC校验数据。

优选地,所述方法还包括:

在从所述NandFlash中读出所述ECC模块生成的ECC校验数时,从所述NandFlash中读出写入的随机数据;

比较读出的随机数据与写入的随机数据;

如果读出的随机数据与写入的随机数据相同,则执行所述根据所述随机数据生成测试数据的步骤。

优选地,所述根据所述随机数据生成测试数据包括:

选取所述随机数据中的一个或多个比特进行取反操作,将包含翻转后比特的随机数据作为测试数据。

优选地,所述选取所述随机数据中的一个或多个比特进行取反操作包括:

随机选取所述随机数据中的1至32比特进行取反操作。

一种NandFlash控制器中错误校正码模块的测试系统,包括:

随机数发生器,用于产生预定个数的随机数据;

校验数据获取单元,用于获取所述随机数据的ECC校验数据;

测试数据生成单元,用于根据所述随机数据生成测试数据;

测试单元,用于在关闭ECC功能的模式下将所述测试数据和所述ECC校验数据写入NandFlash;在开启ECC功能的模式下从所述NandFlash中读取写入的测试数据;

验证单元,用于在所述测试单元从所述NandFlash中读取写入的测试数据过程中,监测所述ECC模块是否报错,如果ECC模块报错,则确定所述ECC模块功能正常;否则确定所述ECC模块功能异常。

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