[发明专利]凸块结构及其制作方法有效
申请号: | 201110043248.2 | 申请日: | 2011-02-15 |
公开(公告)号: | CN102543895A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 齐中邦 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种凸块结构的制作方法,包括:
提供一基板,该基板具有至少一焊垫与一保护层,其中该保护层具有至少一第一开口以将该焊垫暴露;
在该保护层上形成一绝缘层,其中该绝缘层具有至少一第二开口,且该第二开口位于该第一开口上方;
于该绝缘层上形成一金属层,其中该金属层透过该第一开口以及该第二开口与该焊垫电性连接;
于该第一开口以及该第二开口内形成一第一凸块;
于该第一凸块与部分该金属层上形成一第二凸块;以及
以该第二凸块为掩模,移除部分未被该第二凸块所覆盖的该金属层以形成至少一球底金属层,其中该第一凸块被该球底金属层以及该第二凸块完全包覆。
2.如权利要求1所述的凸块结构的制作方法,其特征在于,形成该第一凸块的步骤,包括:
于该绝缘层上形成一第一图案化光阻层,其中该第一图案化光阻层具有对应该第二开口的至少一第三开口,该第三开口的孔径与该第二开口的孔径实质上相同,且该第三开口暴露出位于该第一开口与该第二开口内的部分该金属层;
形成该第一凸块于该第一开口与该第二开口内,其中该第一凸块填充该第一开口与该第二开口,且部分该金属层位于该第一凸块与该绝缘层之间;以及
移除该第一图案化光阻层,以暴露出部分位于该第一图案化光阻层下方的该金属层。
3.如权利要求2所述的凸块结构的制作方法,其特征在于,更包括:
于形成该第二凸块于该第一凸块上之前,形成一镍层于该第一凸块上。
4.如权利要求3所述的凸块结构的制作方法,其特征在于,该镍层是于移除该第一图案化光阻层之前形成于该第一凸块上。
5.如权利要求3所述的凸块结构的制作方法,其特征在于,该镍层是于移除该第一图案化光阻层之后形成于该第一凸块上。
6.如权利要求5所述的凸块结构的制作方法,其特征在于,该镍层延伸配置于该第二凸块与位于该绝缘层上的部分该金属层之间。
7.如权利要求1所述的凸块结构的制作方法,其特征在于,形成该第二凸块的步骤,包括:
形成一第二图案化光阻层于该绝缘层上的部分该金属层上,其中该第二图案化光阻层具有对应该第三开口的至少一第四开口,该第四开口暴露出位于该第一开口与该第二开口内的该第一凸块以及位于该绝缘层上的部分该金属层;
在该第四开口内形成该第二凸块,其中该第二凸块叠置于该第一凸块上;以及
移除该第二图案化光阻层,以暴露出部分位于该第二图案化光阻层下方的金属层。
8.一种凸块结构,适于配置于一基板上,该基板上具有至少一焊垫与一保护层,其中该保护层具有至少第一开口,且该第一开口暴露出部分该焊垫,该凸块结构包括:
一绝缘层,配置于该保护层上,且具有至少一第二开口,其中该第二开口暴露出部分该保护层与部分该焊垫;
一球底金属层,配置于部分该绝缘层上、该第一开口内以及该第二开口内,其中该球底金属层覆盖该第一开口的内壁、该第二开口的内壁以及该第二开口所暴露出的部分该保护层;
一第一凸块,填充于该第一开口与该第二开口内,且部分该球底金属层位于该第一凸块与该绝缘层之间;以及
一第二凸块,叠置于该第一凸块上,且覆盖该第一凸块,其中部分该第二凸块延伸至部分位于该绝缘层上的该球底金属层上。
9.如权利要求8所述的凸块结构,其特征在于,该第一凸块为铜凸块,而该第二凸块为金凸块。
10.如权利要求8所述的凸块结构,其特征在于,更包括一镍层,配置于该第一凸块与该第二凸块之间。
11.如权利要求10所述的凸块结构,其特征在于,该镍层的底面积大于或等于该第二开口的孔径面积。
12.如权利要求8所述的凸块结构,其特征在于,该第二凸块的底面积大于该第二开口的孔径面积。
13.一种凸块结构,适于配置于一基板上,该基板上具有至少一焊垫与一保护层,其中该保护层具有至少第一开口,且该第一开口暴露出部分该焊垫,该凸块结构包括:
一中空绝缘管状体,配置于该保护层上,且具有至少一第二开口,其中该第二开口暴露出部分该保护层与部分该焊垫;
一球底金属层,配置于部分该中空绝缘管状体上、该第一开口内以及该第二开口内,其中该球底金属层覆盖该第一开口的内壁、该第二开口的内壁以及该第二开口所暴露出的部分该保护层;
一第一凸块,填充于该第一开口与该第二开口内,且部分该球底金属层位于该第一凸块与该中空绝缘管状体中;以及
一第二凸块,叠置于该第一凸块上,且覆盖该第一凸块,其中部分该第二凸块延伸至部分位于该中空绝缘管状体上的该球底金属层上,且该第二凸块的侧边与该中空绝缘管状体的侧边实质上切齐。
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