[发明专利]一种In-Se基热电材料的制备方法

权利要求书

1.一种In-Se基热电材料的制备方法，其特征是：包括如下步骤：

步骤1、采用熔炼法合成In-Se材料：

首先按照一定的配比称取原材料：铟粒或铟粉，以及硒粒或硒粉，然后将原材料放入经过清洗的石英管中，对石英管抽真空至10^-3torr以下，接着将石英管口进行密封，之后将石英管置于熔炼炉中，在580℃～900℃熔炼1小时～12小时，最后使石英管冷却至室温，石英管内的熔体凝成锭块；

步骤2、采用区熔生长法制备In-Se大块多晶材料：

将步骤1得到的密封石英管放入区熔炉中，设定熔融温度为500℃～900℃；熔区宽度为5mm～30mm；生长速度为5mm/h～30mm/h，得到In-Se大块多晶材料。

2.根据权利要求1所述的In-Se基热电材料的制备方法，其特征是：所述的步骤1中，石英管置于熔炼炉中熔炼时，借助外力对熔炼炉的炉膛进行摆动。

3.根据权利要求1所述的In-Se基热电材料的制备方法，其特征是：所述的步骤1中，石英管冷却至室温的措施可以为：关闭熔炼炉电源，将石英管随熔炼炉冷却后取出，也可以为：将石英管在熔炼温度取出，然后置于空气环境自然冷却或冰水混合浴进行淬冷。

4.根据权利要求1所述的In-Se基热电材料的制备方法，其特征是：所述的步骤1完成之后，将冷却至室温的石英管置于热处理炉并在300℃～500℃下退火0.5小时～6小时，然后进行步骤2。