[发明专利]阻气性薄膜以及使用此阻气性薄膜的有机元件

权利要求书

1.一种阻障膜，由氮化硅构成，其特征在于，

表示氮N与硅Si的原子比率的比率N/(Si+N)介于0.60至0.65之间。

2.根据权利要求1所述的阻障膜，其特征在于，

所述氮化硅是通过表面波等离子体CVD装置而生成，

所述表面波等离子体CVD装置包括：

介电质窗，导入微波；

放电气体喷出口，放出放电气体；

成膜气体喷出口，放出成膜气体；

载台，载置基板；以及

可变机构，使所述载台与由从放电气体喷出口放出的放电气体而在介电质窗附近生成的表面波等离子体之间的距离为可变，

所述氮化硅是从所述成膜气体喷出口放出的SiH₄气体以及NH₃气体、与由所述表面波等离子体所产生的自由基发生反应而形成在载置于所述载台上的基板上。

3.根据权利要求2所述的阻障膜，其特征在于，

使用所述可变机构来调整所述载台与所述表面波等离子体之间的距离，以载置于所述载台上的所述基板的温度为200℃以下的状态来形成所述阻障膜。

4.一种使用阻障膜来密封的透明基板，其特征在于，

所用的阻障膜是根据权利要求1至3中任一项所述的阻障膜。

5.根据权利要求4所述的使用阻障膜来密封的透明基板，其特征在于，

所述透明基板为塑料基板。

6.一种可挠性的元件密封用薄膜，其特征在于，

在表面形成有根据权利要求1至3中任一项所述的阻障膜。

7.一种可挠性的半导体元件，其特征在于，

使用根据权利要求1至3中任一项所述的阻障膜来密封。

8.根据权利要求7所述的可挠性的半导体元件，其特征在于，

所述可挠性的半导体元件是包含有机半导体的发光器件、或者包含有机半导体的光电转换器件、或者包含有机半导体的电流控制器件、或者有机EL器件中的任一种。

9.一种形成阻障膜的方法，其形成根据权利要求2或3所述的阻障膜，其特征在于，

使用所述表面波等离子体CVD装置，调整所述SiH₄气体与所述NH₃气体的流量比来形成所述的由氮化硅构成的阻障膜。