[发明专利]提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用有效
| 申请号： | 201110064346.4 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102255024A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王敏锐;方运;张宝顺;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 gan 外延 材料 质量 纳米 结构 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高GaN外延材料质量的微纳米结构，其特征在于，所述微纳米结构由阵列排布的复数个多边形图形单元组成，每一图形单元包括复数条彼此孤立的条状微纳米凸起脊，其中每一凸起脊对应于多边形的一边，且相邻凸起脊之间由平面结构连接；
所述多边形为三角形或六边形，若为三角形，则其任一顶点和与该顶点相对边之间的间距为0.5～15μm，若为六边形，则其相互平行的两条边之间的间距为0.5～15μm；
所述凸起脊的长度为0.4～15μm，其两端为曲面，且其纵向截面为曲边形结构，该曲边形包括于垂直方向上分布的一顶点和一底边，该顶点与底边的两个端点之间分别由两条曲线连接。
2.根据权利要求1所述的提高GaN外延材料质量的微纳米结构，其特征在于，所述曲边形结构的顶角为20～160°，底边长度为0.2～8μm，其顶点与底边之间的垂直距离为0.2～3μm。
3.如权利要求1所述的提高GaN外延材料质量的微纳米结构在制备发光二极管和生长GaN基外延材料中的应用。
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