[发明专利]互连结构的制作方法有效
| 申请号： | 201110068919.0 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102693934A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 童立峰;汪武平;张春庆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制作方法 | ||
1.一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有通孔，所述通孔露出所述半导体衬底；
在所述通孔内形成固态的有机保护层，所述固态的有机保护层的厚度小于所述通孔的深度；
刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层内形成沟槽，所述沟槽与所述通孔相连通；
在所述沟槽形成后，去除所述有机保护层，露出所述半导体衬底；
在所述沟槽和通孔内形成互连结构。
2.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述有机保护层的形成方法包括：
在所述层间介质层内形成液态的有机保护层，所述液态的有机保护层至少填充满所述通孔；
在第一温度下，烘烤所述液态的有机保护层，使得所述液态的有机保护层转变为准固态的有机保护层；
在第二温度下，烘烤所述准固态的有机保护层，使得所述准固态的有机保护层转变为固态的有机保护层，所述第二温度大于第一温度。
3.如权利要求2所述的互连结构的制作方法，其特征在于，在利用第二温度对所述准固态的有机保护层进行烘烤前，还包括：
沿所述通孔进行刻蚀工艺，去除部分通孔内的准固态的有机保护层。
4.如权利要求2所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一温度为大于等于30摄氏度且小于100摄氏度，在所述第一温度下烘烤所述液态的有机保护层的时间不超过3分钟。
5.如权利要求4所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一温度大于等于70摄氏度且小于等于99摄氏度，在所述第一温度下烘烤所述液态的有机保护层的时间为5～120秒。
6.如权利要求2所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述第二温度为大于100摄氏度且小于等于300摄氏度，在所述第二温度下烘烤所述剩余的准固态的有机保护层的时间不超过3分钟。
7.如权利要求6所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述第二温度大于等于170摄氏度且小于等于190摄氏度，在所述第二温度下烘烤所述准固态的有机保护层的时间为5～120秒。
8.如权利要求2所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述液态的有机保护层利用旋涂或喷涂工艺制作。
9.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述互连结构的材质为铜。
10.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述互连结构利用电镀工艺制作。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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