[发明专利]制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110081785.6 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102738062A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 张传宝;庄敏;唐建新;张斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底和形成在所述半导体衬底上的中间金属层；
在所述中间金属层上形成顶金属层的刻蚀停止层；
对所述半导体衬底进行烘烤步骤；
使用冲洗剂对所述刻蚀停止层进行冲洗步骤；
在所述刻蚀停止层上形成介电材料层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述介电材料层中形成通孔和顶金属层的步骤。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烘烤步骤的烘烤温度与形成所述介电材料层的温度相同。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烘烤步骤的烘烤时间与所述介电材料层的形成时间相同。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电材料层的材料为等离子体增强氧化物。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述离子体增强氧化物为不掺杂的硅玻璃或含氟的硅玻璃。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述烘烤温度为350oC-450oC。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述烘烤温度为380oC-420oC 。
9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述烘烤时间为50-250秒。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述烘烤时间为100-200秒。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述冲洗剂为氦气、氩气和氮气中的一种或多种。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述冲洗剂为氮气，所述氮气的流速为60-100立方厘米/分钟。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述冲洗剂还包括去离子水，所述去离子水在所述氮气冲压下喷出。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述冲洗步骤结束后还包括旋转所述半导体衬底，以对所述半导体衬底进行甩干的步骤。
15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述冲洗过程中，使所述半导体衬底旋转。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底的旋转速度为400-600转/分钟。
17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述冲洗的时间为20-40秒。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述冲洗的时间为25-35秒。
19.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为氮化硅或含碳的氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
