[发明专利]内部气相沉积工艺有效

专利信息
申请号: 201110092907.1 申请日: 2011-04-13
公开(公告)号: CN102219371A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: I·米莉瑟维克;M·J·N·范·斯特劳伦;J·A·哈特苏克;E·阿尔迪 申请(专利权)人: 德拉克通信科技公司
主分类号: C03B37/018 分类号: C03B37/018;C03B37/025
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 内部 沉积 工艺
【权利要求书】:

1.一种光纤用初级预制品的制造方法,其使用内部气相沉积工艺,所述方法包括以下步骤:

i)设置具有供给侧和排出侧的中空玻璃基管,

ii)由加热炉包围至少部分的所述中空玻璃基管,

iii)将掺杂或未掺杂的玻璃形成气体经由所述中空玻璃基管的供给侧供给至所述中空玻璃基管的内部,

iv)创建反应区,在所述反应区中创建条件以使玻璃沉积发生在所述中空玻璃基管的内部,和

v)使所述反应区在位于所述中空玻璃基管的供给侧附近的换向点和位于所述中空玻璃基管的排出侧附近的换向点之间沿着所述中空玻璃基管的长度往复移动,其中,在至少部分步骤v)期间,当所述反应区沿所述排出侧的方向移动时,气体流包含第一浓度的含氟化合物,其特征在于,

所述反应区在沿所述排出侧的方向移动后其沿所述供给侧的方向移动时,所述气体流包含第二浓度的含氟化合物,其中在至少部分步骤v)期间,所述含氟化合物的第一浓度不同于所述含氟化合物的第二浓度。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述含氟化合物的第一浓度高于所述含氟化合物的第二浓度。

3.根据前述权利要求1-2中的一项或多项所述的方法,其中所述含氟化合物不含氢原子并且优选选自由以下组成的组:化合物CF4、C2F6、C4F8、CCl2F2、SiF4、Si2F6、SF6、NF3、F2或者这些化合物的两种以上的混合物。

4.根据权利要求3所述的方法,其中所述含氟化合物为C2F6和/或C4F8

5.根据前述权利要求1-4中的一项或多项所述的方法,其中所述气体流进一步包含至少一种掺杂剂,所述掺杂剂优选选自由锗、氮、硼、钛、磷、铝组成的组。

6.根据前述权利要求1-5中的一项或多项所述的方法,其中设定所述气体流中所述含氟化合物的第一浓度,以使所述沉积玻璃折射率的降低小于4×10-3、优选小于2×10-3

7.根据前述权利要求1-6中的一项或多项所述的方法,其中设定所述气体流中的所述含氟化合物的第一浓度,以使所述沉积玻璃折射率的降低大于0.1×10-3

8.根据前述权利要求1-7中的一项或多项所述的方法,其中设定比例R,即所述气体流中所述含氟化合物的第一浓度与所述含氟化合物的第二浓度的商,以使所述比例R在下述范围内:

1<R<100,优选1<R<10。

9.根据前述权利要求1-8中的一项或多项所述的方法,其中所述第二浓度为0%。

10.根据前述权利要求1-9中的一项或多项所述的方法,其中在步骤v)中,所述反应区以5-40m/min、优选15-25m/min、特别地15-30m/min的速度移动。

11.根据前述权利要求1-10中的一项或多项所述的方法,其中步骤v)中的所述反应区为等离子区,优选微波等离子区。

12.根据前述权利要求1-11中的一项或多项所述的方法,其中在步骤v)中,将所述加热炉的温度设定为800-1200℃、优选900-1100℃。

13.一种光纤用最终预制品的制造方法,所述方法包括以下步骤:

i)根据前述权利要求1-12中的一项或多项制造初级预制品,

ii)使用热源,将步骤i)中获得的所述初级预制品坍缩为实心初级预制品,

iii)任选地将额外量的玻璃沉积在所述实心初级预制品的外部,从而形成所述最终预制品。

14.一种光纤的制造方法,所述方法包括根据权利要求13制造光纤用最终预制品,然后加热所述最终预制品的一端并且从最终预制品拉伸所述光纤的步骤。

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