[发明专利]一种低密度高收缩聚酯薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种低密度高收缩聚酯薄膜，其特征在于：所述低密度高收缩聚酯薄膜包括主要成分为低熔点改性PET共聚物和接枝改性PS共聚物的芯层，和主要成分是纳米无机物改性非晶聚酯的上、下表层，所述上、下表层共挤复合于所述芯层的上、下表面。

2.如权利要求1所述的低密度高收缩聚酯薄膜，其特征在于：所述低熔点改性PET共聚物由间苯二甲酸和2，2-二甲基-1，3丙二醇共同改性的聚酯共聚物；所述接枝改性PS共聚物由马来酸酐或甲基丙烯酸甘油酯接枝改性的PS共聚物；所述非晶聚酯是由间苯二甲酸、2-甲基-1，3丙二醇以及2，2-二甲基-1，3丙二醇共聚得到的聚酯共聚物；所述纳米无机物为纳米硅酸钠、纳米SiO₂、纳米碳酸钙和纳米蒙脱土中的至少一种。

3.如权利要求1所述的低密度高收缩聚酯薄膜，其特征在于：所述低熔点改性PET共聚物的熔点为185～230℃，所述纳米无机物的粒径为10～300nm。

4.如权利要求3所述的低密度高收缩聚酯薄膜，其特征在于：所述纳米无机物的粒径为100～200nm。

5.如权利要求2所述的低密度高收缩聚酯薄膜，其特征在于：所述低密度高收缩聚酯薄膜的密度为1.10～1.30g/m²，所述低密度高收缩聚酯薄膜的厚度为30～60um，所述芯层的厚度为20～40um。

6.一种低密度高收缩聚酯薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）将低熔点改性PET共聚物和接枝改性PS共聚物按70～90wt%和10～30wt%的含量比混合，经预结晶、干燥处理后，作为芯层的原料，在250～280℃的温度下熔融挤出；

（2）将纳米无机物改性非晶聚酯分别作为上、下表层的原料，在250～270℃温度下熔融挤出；

（3）将熔融后的芯层及上、下表层原料，经复合共挤成型，经30～50℃急冷成铸片；

（4）将铸片先经50～80℃预热，再在50～80℃进行纵向拉伸得到初级膜片，拉伸倍数为1.00～1.05，将纵向拉伸后的初级膜片在60～120℃重新预热后，再在60～90℃进行横向拉伸得到基膜，拉伸倍数为3.5～4.5；

（5）将拉伸后得到的基膜在50～100℃热定型后，再在50～80℃进行二次拉伸，拉伸倍数为1.00～1.05，经冷却得到低密度高收缩聚酯薄膜。

7.如权利要求6所述的低密度高收缩聚酯薄膜的制备方法，其特征在于：所述低熔点改性PET共聚物由间苯二甲酸和2，2-二甲基-1，3丙二醇共同改性的聚酯共聚物；所述接枝改性PS共聚物由马来酸酐或甲基丙烯酸甘油酯接枝改性的PS共聚物；所述非晶聚酯是由间苯二甲酸、2-甲基-1，3丙二醇以及2，2-二甲基-1，3丙二醇共聚得到的聚酯共聚物；所述纳米无机物为纳米硅酸钠、纳米SiO₂、纳米碳酸钙和纳米蒙脱土中的至少一种。

8.如权利要求6所述的低密度高收缩聚酯薄膜的制备方法，其特征在于：所述低熔点改性PET共聚物的熔点为185～230℃，所述纳米无机物的粒径为10～300nm。

9.如权利要求8所述的低密度高收缩聚酯薄膜的制备方法，其特征在于：所述纳米无机物的粒径为100～200nm。

10.如权利要求6所述的低密度高收缩聚酯薄膜的制备方法，其特征在于：所述低密度高收缩聚酯薄膜的密度为1.10～1.30g/m²，所述低密度高收缩聚酯薄膜的厚度为30～60um，所述芯层的厚度为20～40um。