[发明专利]发光元件无效
申请号: | 201110108640.0 | 申请日: | 2011-04-28 |
公开(公告)号: | CN102244174A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 杉森畅尚 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,其使用在具有第1导电类型的第1半导体层上形成了具有第2导电类型的第2半导体层的半导体发光功能层,在用于使该半导体发光功能层发光的通电中使用的2个电极均形成于所述半导体发光功能层中的形成了所述第2半导体层的侧的主面上,其中,该第2导电类型的导电类型与所述第1导电类型相反,该发光元件的特征在于,
该发光元件具有:
第1电极,其在所述半导体发光功能层的一个端部在从所述主面侧去除了所述第2半导体层之处按照与所述第1半导体层接触的方式形成;
透明电极,其在所述第2半导体层的表面,从另一个端部侧朝向所述一个端部侧延伸,并按照与该延伸方向垂直的方向上的有效长度从所述另一个端部侧朝向所述一个端部侧而变长的方式形成;以及
第2电极,其在所述另一个端部侧按照与所述透明电极接触的方式形成于所述透明电极上。
2.一种发光元件,其使用在具有第1导电类型的第1半导体层上形成了发光层,在该发光层上形成了具有第2导电类型的第2半导体层的半导体发光功能层,在用于使所述半导体发光功能层发光的通电中使用的2个电极均形成于所述半导体发光功能层中的形成了所述第2半导体层的侧的主面上,其中,该第2导电类型的导电类型与所述第1导电类型相反,该发光元件的特征在于,
该发光元件具有:
第1电极,其在所述半导体发光功能层的一个端部侧在从所述主面侧去除了所述第2半导体层和所述发光层之处,按照与所述第1半导体层接触的方式形成;
透明电极,其在所述第2半导体层的表面,从另一个端部侧朝向所述一个端部侧延伸而形成;以及
第2电极,其在所述另一个端部侧按照与所述透明电极接触的方式形成于所述透明电极上,
所述第2半导体层按照与从所述另一个端部朝向所述一个端部的方向垂直的方向上的有效长度从所述另一个端部朝向所述一个端部而变长的方式形成于所述发光层上。
3.根据权利要求1或2所述的发光元件,其特征在于,
覆盖所述透明电极和所述半导体发光功能层而形成绝缘层,
所述第1电极和所述第2电极通过形成于所述绝缘层中的开口分别与所述第1半导体层和所述透明电极接触。
4.根据权利要求3所述的发光元件,其特征在于,对所述半导体发光功能层的端部进行了锥形加工,所述第1电极和所述第2电极中的至少一方隔着所述绝缘层覆盖进行了锥形加工的所述半导体发光功能层的端部。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光元件,其特征在于,所述第1半导体层通过外延生长形成于硅基板上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件,其特征在于,对所述半导体发光功能层中的所述端部以外的侧面进行了锥形加工。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光元件,其特征在于,所述第1电极与所述第2电极之间的间隔相对于与从所述一个端部朝向所述另一个端部的方向垂直的方向上的所述半导体发光功能层的宽度的比率是10以上。
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