[发明专利]一种刻面碳化硅宝石成品的加工方法

权利要求书

1.一种刻面碳化硅宝石的加工方法，包括切割、预型、圈形、研磨、抛光，其特征在于，所述的切割采用金刚石线切割机进行，使碳化硅c面为台面，或者与碳化硅c面偏角不大于5°的面作为台面；所述的研磨使用固着金刚石磨粒的研磨盘，该研磨盘内细外粗，即研磨盘内圈固着的金刚石磨粒颗粒度小于研磨盘外圈固着的金刚石磨粒，研磨时先用研磨盘外圈研磨再用研磨盘内圈研磨；所述的抛光分为粗抛光和精抛光两步，第一步粗抛光是利用磨粒粒度在10微米以下的金刚石粉制成抛光膏或抛光液，依次抛光宝石的各个刻面。第二步精抛光是利用二氧化硅抛光液，水平旋转轮的转速50r/min～120r/min，控制宝石表面的压力在100～500g/cm²条件下进行抛光。

2.如权利要求1所述的刻面碳化硅宝石的加工方法，其特征在于，所述的切割是用金刚石线将碳化硅晶锭切割成长方体粗坯；

3.如权利要求1所述的刻面碳化硅宝石的加工方法，其特征在于所述的预型是使用粗糙度的180#～600#的粒度均一的粗研磨盘对切割好的碳化硅长方体粗坯预型，粗研磨盘转速控制在1500r/min～2400r/min；

4.如权利要求1所述的刻面碳化硅宝石的加工方法，其特征在于所述的圈形，选用粗糙度600#～1000#的粒度均一的金刚石研磨盘对上述预型后的碳化硅粗坯进行圈形，圈出腰形。

5.如权利要求1所述的刻面碳化硅宝石的加工方法，其特征在于所述的研磨使用内细外粗研磨盘在圈形后的碳化硅粗坯上先对台面研磨和抛光，再依次研磨各个刻面；研磨时，先用研磨盘外圈研磨再用研磨盘内圈研磨；水平旋转轮转速控制在1500r/min～2400r/min。

6.如权利要求1所述的刻面碳化硅宝石的加工方法，其特征在于所述第一步粗抛光采用抛光盘，使用磨料粒度为1～3.5微米的金刚石粉制成抛光膏或抛光液。将抛光膏或抛光液涂抹在抛光盘内，抛光盘转速控制在1500r/min到2400r/min之间。

7.如权利要求6所述的刻面碳化硅宝石的加工方法，其特征在于所述抛光盘是金属抛光盘，优选铜盘或钢盘；优选精抛光使用软质抛光布。

8.如权利要求1所述的刻面碳化硅宝石的加工方法，其特征在于加工产品为标准明亮型宝石琢型时，碳化硅晶锭切割成长方体粗坯的长、宽、高比例为1∶1∶(0.6～0.7)，其中选碳化硅c面为1∶1的正方形面，做为台面。

9.如权利要求1所述的刻面碳化硅宝石的加工方法，其特征在于加工产品为祖母绿型宝石琢形时，碳化硅晶锭切割成长方体粗坯的长、宽、高比例为1∶(0.4～0.6)∶(0.5～0.7)，使1∶(0.4～0.6)的长方形面平行于碳化硅c面，并以此面作为台面。

10.如权利要求1～9任一所述的刻面碳化硅宝石的加工方法，其特征在于所述碳化硅晶锭选自6H-SiC或4H-SiC；优选的，使用带有刻度的机械手夹具来控制各个刻面的加工角度。