[发明专利]用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺

权利要求书

1.一种用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺，其特征在于，在硅片的已完成的前层金属层上依次淀积一介电阻挡层、一第一介电层、一中间介电阻挡层和一第二介电层；旋涂光刻胶，光刻形成沟槽图形；干法刻蚀沟槽至第一介电层，去除光刻胶；淀积金属硬掩模，作为通孔刻蚀硬掩模；旋涂底部抗反射涂层填满沟槽；回刻底部抗反射涂层至沟槽内；旋涂光刻胶，光刻形成通孔图形；进行干法刻蚀，打开金属硬掩模，去除剩余光阻和底部抗反射涂层；进行干法刻蚀，形成通孔；淀积金属阻挡层和铜籽晶层；电镀铜填满通孔和沟槽；进行化学机械研磨，去除多余金属。

2.根据权利要求1所述的用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺，其特征在于，所述第一介电层与所述第二介电层均通过沉淀二氧化硅形成的。

3.根据权利要求1所述的用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺，其特征在于，所述介电阻挡层和所述中间介电阻挡层均通过沉淀氮化硅形成的。

4.根据权利要求1所述的用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺，其特征在于，所述第二介电层的厚度大于等于3微米。

5.根据权利要求1所述的用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺，其特征在于，所述通孔的具体形成过程为：在通孔图形形成后，通过干法刻蚀，打开金属硬掩模，并去除光刻胶和底部抗反射涂层；再次干法刻蚀，通过金属硬掩模刻蚀形成通孔。

6.根据权利要求5所述的用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺，其特征在于，所述干法刻蚀，形成通孔的工艺步骤中，所述通孔穿过所述第一介电层与所述介电阻挡层止于所述硅片的已完成的前层金属层上。

7.根据权利要求1所属的用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺，其特征在于，所述化学机械研磨，去除多余金属的工艺步骤中包括去除金属硬掩模。

8.根据权利要求1所述的用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺，其特征在于，在通过干法刻蚀，形成沟槽后，通过化学气象沉淀工艺形成金属硬掩模。

9.根据权利要求1所述的用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺，其特征在于，在通过干法刻蚀，形成沟槽后，通过物理气相沉淀工艺形成金属硬掩模。