[发明专利]阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

根据驱动液晶的电场方向，液晶显示装置分为垂直电场型液晶显示装置和水平电场型液晶显示装置。水平电场型液晶显示装置中进一步包括：高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching，AD-SDS)型显示装置。

AD-SDS通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。

现有技术中的AD-SDS型显示装置大部分采用传统方式Staggered Back Channel Etch(交错反向通道刻蚀)法制造，但这是需要以6道掩膜工艺制造，由于目前在薄膜晶体管液晶显示面板的制造上，掩膜工艺耗时且非常昂贵，因此相对于采用5道掩膜工艺制造的宽视角竞争技术的IPS(横向电场效应显示技术)或VA mode，现有技术中的AD-SDS型显示装置的生产方式有着生产力不高的缺点。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制造方法，能够降低薄膜晶体管制作中的掩膜道次，减少制作时间，增加产能，进而降低制造成本。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种阵列基板的制造方法，包括：

第一次掩膜工艺，在基板上形成无机材料凸起；

第二次掩膜工艺，在经过所述第一次掩膜工艺的基板上形成分别由第一透明导电层和第一金属层构成的反射区域图案、栅线、从所述栅线分支出来的栅电极和公共电极；

第三次掩膜工艺，在经过所述第二次掩膜工艺的基板上形成由半导体层构成的硅岛图案和由第二金属层构成的数据线图案，在所述硅岛图案上形成与数据线连接的源电极和漏电极、由半导体层构成的沟道；

第四次掩膜工艺，在经过所述第三次掩膜工艺的基板上涂布无机材料，并对所述无机材料进行回火工艺后形成一平坦层，并在所述漏电极上形成过孔；

第五次掩膜工艺，在所述反射区域形成通过所述过孔与所述漏电极连接、由第二透明导电层构成的像素电极。

其中，在所述第一次掩膜工艺中，在基板上利用无机材料制作凸起，并对所述凸起进行回火工艺后使其成为角度为6～10度的凸起。

其中，所述回火工艺的温度为200-250℃，时间为20～60min。

其中，在所述第二次掩膜工艺中，所述公共电极的反射区域由所述第一透明导电层和所述第一金属层构成，所述公共电极的透射区域由所述第一透明导电层构成。

其中，在所述第四次掩膜工艺中，回火工艺后的所述平坦层的平坦率在95％以上。

其中，所述无机材料为采用氧化硅或氮化硅导电体的无机树脂。

其中，在所述第三次掩膜工艺中，所述绝缘层为氮氧化硅层或氮化硅层，所述半导体层为非晶硅层，所述第二金属层为采用钼、铝、钛或铜。

其中，所述第一透明导电层和第二透明导电层为IZO氧化铟锌层或ITO氧化铟锡层。

本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括：

一基板；

分布在所述基板上的无机材料凸起；

分布在上述基板上的分别由第一透明导电层和第一金属层构成的反射区域图案、栅线、从所述栅线分支出来的栅电极和公共电极；

分布在上述基板上由半导体层构成的硅岛图案和由第二金属层构成的数据线图案、在所述硅岛图案上与数据线连接的源电极和漏电极、由半导体层构成的沟道；

沉积在上述基板上、以无机材料制成的平坦层，所述平坦层包括一与所述漏电极相连的过孔；

分布在上述基板上由第二透明导电层构成、通过所述过孔与所述漏电极连接的所述像素电极。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，仅需五道掩膜工艺，即可制作AD-SDS型显示装置用阵列基板，由于曝光工艺次数降低，故可以减少制造时间，进而降低制造成本，并且本发明中在反射区上部制作一平坦层，使像素电极平坦分布在基板上，而使液晶面板可正常的水平切换AD-SDS驱动。

附图说明

图1为现有技术中的AD-SDS型显示装置结构示意图；