[发明专利]一种Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂及制备方法和应用无效

专利信息
申请号: 201110145001.1 申请日: 2011-05-19
公开(公告)号: CN102274729A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 李硕 申请(专利权)人: 烟台大学
主分类号: B01J23/843 分类号: B01J23/843;B01D53/86;B01D53/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 264005 山*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 cu 掺杂 tio sub 耦合 半导体 光催化剂 制备 方法 应用
【说明书】:

技术领域:

发明属催化剂范畴,特别涉及一种Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂的制备及其在光催化方面的应用。

背景技术:

利用TiO2半导体光催化降解有机污染物已成为环境催化领域的研究热点,然而该项技术走向实际应用还受到TiO2光生电子和空穴的复合率较高、量子效率低;带隙较宽(锐钛矿TiO2约为3.2eV)、需要387nm以下波长的紫外光激发,太阳光谱的利用率低等因素的限制。

目前已有对TiO2进行离子掺杂,贵金属沉积,半导体耦合,表面敏化等多种改性技术,其中选择合适的半导体与TiO2耦合是一种既能扩大光谱响应范围又能降低光生载流子复合率、提高催化活性的较好方法,受到光催化工作者的极大重视。如Bessekhouad等人用CdS和Bi2S3(Bessekhouad Y,Robert D,Weber J V“Bi2S3/TiO2 and CdS/TiO2 hetero junctions as an available configuration for photocatalytic degradation of organic pollutant”《JPhotochem Photobiol A:Chem》2004,163:569~580)、陈华军等人用Bi2O3(陈华军,尹国杰,吴春来“纳米Bi2O3/TiO2复合光催化剂的制备及性能研究”《环境工程学报》2008,2(11):1516~1518)、Bessekhouad等人用Cu2O、Bi2O3和ZnMn2O4(Bessekhouad Y,RobertD,Weber J V“Photocatalytic activity of Cu2O/TiO2,Bi2O3/TiO2 and ZnMn2O4/TiO2heterojunctions”《Catal.Today》2005,101:315~320)与TiO2耦合,分别制备出了光谱响应范围宽,光生载流子复合率低、催化活性高的CdS/TiO2、Bi2S3/TiO2、Bi2O3/TiO2、Cu2O/TiO2和ZnMn2O4/TiO2耦合型半导体光催化剂。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于烟台大学,未经烟台大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110145001.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top