[发明专利]高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法有效
申请号: | 201110159172.X | 申请日: | 2011-06-14 |
公开(公告)号: | CN102828165A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 杨继业;孙玲玲;王炜 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;G01M3/32 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高密度 等离子体 化学 气相淀积 设备 体检 方法 | ||
1.一种高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法,其特征在于:在生产工艺步骤中增加腔体检漏工艺,所述腔体检漏工艺自动执行并实时报警;当所述腔体检漏工艺得到的测量结果超标时,高密度等离子体化学气相淀积设备发出警报并使所述生产工艺步骤停止执行;当所述腔体检漏工艺得到的测量结果正常时,所述生产工艺步骤继续执行。
2.如权利要求1所述高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法,其特征在于:所述腔体检漏工艺包括如下步骤:
步骤一、将所述高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体抽到底压;
步骤二、将所述腔体的所有阀门关闭并保持一段时间;
步骤三、对所述腔体的压强进行测量;当所测量的压强值小于压强规格值时,所述测量结果正常;当所测量的压强值大于等于压强规格值时,所述测量结果超标。
3.如权利要求2所述高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法,其特征在于:步骤二中的保持时间根据所对应的生产工艺分别进行设定。
4.如权利要求3所述高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法,其特征在于:步骤二中的保持时间设定为10秒~60秒。
5.如权利要求2所述高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法,其特征在于:步骤三中所述压强规格值根据所对应的生产工艺分别进行设定。
6.如权利要求5所述高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法,其特征在于:步骤三中所述压强规格值设定为1毫托~3毫托。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的