[发明专利]半导体部件及其制造方法

说明书

本分案申请是基于申请号为200710170096.6，申请日为2007年11月13日，发明名称为“半导体部件及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明通常涉及半导体部件，且更具体地说，涉及包括一个或更多个无源电路元件的半导体部件。

背景技术

半导体部件制造商正在不断努力以增加其产品的功能性和性能，同时降低产品的成本。增加功能性和性能的一个方法一直都是增加从半导体晶片制造的电路元件的数量。正如本领域的技术人员所意识到的，半导体晶片被分成称为芯片或管芯的多个面积或区域。在每个芯片中制造相同的电路元件。增加半导体晶片中芯片的数量降低了制造半导体部件的成本。然而，将大量的电路元件集成在半导体晶片中的缺陷是其增加了每个芯片所占据的面积且由此降低了可以从单个半导体单晶片制造的芯片的数量。将无源电路元件与有源电路元件集成在一起还增大了芯片尺寸，因为他们比有源器件占据更大的面积。因此，在降低制造成本方面，半导体部件制造商折衷考虑了可以在芯片中制造的电路元件的数量和可以从半导体晶片获得的芯片的数量。

将无源电路元件和有源电路元件单片集成在半导体芯片中的另一个缺陷在于制造无源电路元件的工具被优化成用于制造较大几何形状的器件，而制造有源电路器件的工具被优化成用于制造较小几何形状的器件。例如，用在制造无源电路元件中的设备精确到十分之一微米内，而用于制造有源电路元件的设备精确到千分之一微米内。

因此，具有用于在半导体芯片中制造无源电路元件和有源电路元件的面积和成本有效的方法是有优势的。能够使用制造无源电路元件和有源电路元件的普通设备或成套工具是进一步的优势。

附图说明

结合附图阅读下面的详细描述可以更好地理解本发明，在附图中相同的参考数字指示相同的元件，其中：

图1是根据本发明实施方案的半导体部件在制造开始阶段的剖面图；

图2是图1半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图3是图2半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图4是图3半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图5是图4半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图6是图5半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图7是图6半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图8是图7半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图9是图8半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图10是图9半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图11是图10半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图12是图11半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图13是图12半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图14是根据本发明另一个实施方案的半导体部件的剖面图；

图15是根据本发明另一个实施方案的半导体部件的剖面图；

图16是根据本发明另一个实施方案的半导体部件在制造开始阶段的剖面图；

图17是图16半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图18是图17半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图19是图18半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图20是图19半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图21是图20半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图22是根据本发明另一个实施方案的半导体部件在制造开始阶段的剖面图；

图23是图22半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图24是图23半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图25是图24半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图26是图25半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图27是图26半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图28是图27半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图29是图28半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图30是图29半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图31是图30半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图32是图31半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图33是图32半导体部件在制造的稍后阶段的剖面图；

图34是根据本发明另一个实施方案的半导体部件在制造开始阶段的剖面图；