[发明专利]AC-DC开关电源及其功率三极管无效
| 申请号： | 201110162549.7 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102222670A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 郑凌波;林新春;罗小荣 | 申请（专利权）人： | 深圳市力生美半导体器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/082 | 分类号： | H01L27/082;H01L29/732;H02M7/02 |
| 代理公司： | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人： | 刘抗美;周惠来 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区龙岗街道宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ac dc 开关电源 及其 功率 三极管 | ||
1.一种适用于AC-DC开关电源的功率三极管结构，其特征在于，包括一作为集电极的衬底，在该衬底上形成的相互隔离的至少两个基区、在每个基区上形成的一个发射极以及与该衬底电连接的集电极引脚、与该些基区电连接的至少两个基极引脚、与该些发射极电连接的至少两个发射极引脚，该衬底、每个基区、每个基区上的发射极及相应的引脚构成一个三极管单元。
2.依据权利要求1所述的功率三极管结构，其特征在于，该些三极管单元的电流能力至少具有两种规格。
3.依据权利要求1所述的功率三极管结构，其特征在于，该些三极管单元的耐压能力均不低于一设定值。
4.依据权利要求1所述的功率三极管结构，其特征在于，该衬底是N型半导体材质的，该些基区是P型半导体材质的，该些发射极是N型半导体材质的。
5.依据权利要求1所述的功率三极管结构，其特征在于，该衬底是P型半导体材质的，该些基区是N型半导体材质的，该些发射极是P型半导体材质的。
6.一种AC-DC开关电源，包括一电源管理电路和与该电源管理电路电连接的开关管，其特征在于，该开关管是具有由权利要求1至5任一项所述的功率三极管结构的。
7.依据权利要求6所述的AC-DC开关电源，其特征在于，该些三极管单元中的一个受控于该电源管理电路并做主开关用，该些三极管单元中的另一个受控于该电源管理电路并做启动用。
8.依据权利要求6所述的AC-DC开关电源，其特征在于，该些三极管单元中的一个受控于该电源管理电路并做主开关用，该些三极管单元中的另一个受控于该电源管理电路并做主开关用单元的驱动饱和度控制用。
9.依据权利要求6所述的AC-DC开关电源，其特征在于，该些三极管单元中的一个受控于该电源管理电路并做主开关用，该些三极管单元中的另一个受控于该电源管理电路并做主开关用单元的前级驱动用。
10.依据权利要求6所述的AC-DC开关电源，其特征在于，该些三极管单元中的一个受控于该电源管理电路并做主开关用，该些三极管单元中的另一个受控于该电源管理电路并做启动用，该些三极管单元中的又一个受控于该电源管理电路并做主开关用单元的前级驱动用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
