[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，该方法包括：

a)提供SOI衬底，并在所述SOI衬底上形成栅极结构(200)；

b)刻蚀所述栅极结构(200)两侧的所述SOI衬底的SOI层(100)和BOX层(110)，以形成暴露所述BOX层(110)的沟槽(140)，该沟槽(140)部分进入所述BOX层(110)；

c)在所述沟槽(140)的侧壁形成侧墙(160)；

d)在所述沟槽(140)内形成覆盖所述侧墙(160)的金属层(150)，该金属层(150)与所述栅极结构(200)下方的所述SOI层(100)相接触。

2.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，该方法包括：

a)提供SOI衬底，在该SOI衬底上覆盖掩膜(400)，所述掩膜掩盖的区域为预定形成栅极线的区域；

b)刻蚀所述掩膜(400)两侧的所述SOI衬底的SOI层(100)和BOX层(110)，以形成暴露所述BOX层(110)的沟槽(140)，该沟槽(140)部分进入所述BOX层(110)；

c)在所述沟槽(140)的侧壁形成侧墙(160)；

d)在所述沟槽(140)内形成覆盖所述侧墙(160)的金属层(150)，该金属层(150)与所述栅极结构(200)下方的所述SOI层(100)相接触。

e)移除所述掩膜以暴露其掩盖的区域，在该区域上形成栅极结构(200)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

所述沟槽(140)的深度的范围是50nm～150nm。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

所述沟槽(140)暴露部分所述SOI衬底的隔离区(120)。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

所述金属层(150)的材料包括W、Al、TiAl、TiN或其组合。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

该侧墙(160)的材料为低k材料。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

f)形成覆盖所述栅极结构(200)和所述金属层(150)的介质层(300)，并在该介质层(300)中分别形成暴露至少部分所述金属层(150)的第一接触孔(310)，以及暴露至少部分所述栅极结构(200)的第二接触孔(320)。

8.一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括SOI衬底、栅极结构(200)、侧墙(160)和金属层(150)，其中：

所述SOI衬底包括SOI层(100)和BOX层(110)；

所述栅极结构(200)形成在所述SOI层(100)之上；

所述金属层(150)形成在所述栅极结构(200)两侧的所述SOI衬底内，该金属层(150)与所述栅极结构(200)下方的所述SOI层(100)相接触，并延伸至所述BOX层(110)内；

所述金属层(150)与所述BOX层(110)之间存在侧墙(160)。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于：

所述金属层(150)的厚度的范围是50nm～150nm。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于：

所述金属层(150)与所述SOI衬底的隔离区(120)之间也存在侧墙(160)。

11.根据权利要求8、10或11所述的半导体结构，其特征在于：

所述金属层(150)的材料包括包括W、Al、TiAl、TiN或其组合。

12.根据权利要求8或10所述的半导体结构，其特征在于：

该侧墙(160)的材料为低k材料。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，该半导体结构还包括覆盖所述栅极结构(200)和所述金属层(150)的介质层(300)，该介质层(300)内包括：

与所述金属层(150)接触的第一接触塞(330)；和/或

与所述栅极结构(200)接触的第二接触塞(340)。