[发明专利]薄膜太阳电池及其制造方法

权利要求书

1.一种制造薄膜太阳电池的方法，包括以下步骤：

提供一衬底(100)，在所述衬底(100)上形成透明导电氧化物层(200)；

在所述透明导电氧化物层(200)上形成PiN结(800)或NiP结(900)，所述PiN结(800)或NiP结(900)包括：N型掺杂层(500)，非晶硅本征吸收层(400)和P型掺杂层(300)；

在所述PiN结(800)或NiP结(900)上形成背电极层(600)；

其特征在于：

在所述PiN结(800)或所述NiP结(900)中的P型掺杂层(300)和非晶硅本征吸收层(400)之间，形成界面缓冲层(700)，所述界面缓冲层(700)包括与P型掺杂层(300)接触的非晶硅碳缓冲层(710)和与非晶硅本征吸收层(400)接触的Protocrystalline阻挡层(720)；

所述Protocrystalline阻挡层(720)为处于非晶硅/微晶硅过渡区域的靠近非晶硅一侧的非晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述P型掺杂层(300)的带隙范围为2.0～2.4eV。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非晶硅本征吸收层(400)的带隙范围为1.7～1.8eV。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非晶硅碳缓冲层(710)的带隙范围为1.8～1.9eV。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非晶硅碳缓冲层(710)的厚度范围为5～10nm。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述Protocrystalline阻挡层(720)的厚度范围为5～30nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述Protocrystalline阻挡层(720)的厚度范围为5～15nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述Protocrystalline阻挡层(720)的氢稀释率范围为10～100。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述Protocrystalline阻挡层(720)的氢稀释率范围10～50。

10.一种薄膜太阳电池，包括：

衬底(100)；

透明导电氧化物层(200)，形成于所述衬底(100)之上；

PiN结(800)或NiP结(900)，形成于所述透明导电氧化物层(200)之上；所述PiN结(800)或NiP结(900)包括：N型掺杂层(500)，非晶硅本征吸收层(400)和P型掺杂层(300)；

背电极层(600)，形成于所述PiN结(800)或NiP结(900)之上；

其特征在于，还包括：

界面缓冲层(700)，所述界面缓冲层(700)在所述PiN结(800)或所述NiP结(900)中的P型掺杂层(300)和非晶硅本征吸收层(400)之间，其包括与P型掺杂层(300)接触的非晶硅碳缓冲层(710)和与非晶硅本征吸收层(400)接触的Protocrystalline阻挡层(720)；

所述Protocrystalline阻挡层(720)为处于非晶硅/微晶硅过渡区域的靠近非晶硅一侧的非晶硅薄膜。

11.根据权利要求10所述的薄膜太阳电池，其中，所述P型掺杂层(300)的带隙范围为2.0～2.4eV。

12.根据权利要求10所述的薄膜太阳电池，其中，所述非晶硅本征吸收层(400)的带隙范围为1.7～1.8eV。

13.根据权利要求10所述的薄膜太阳电池，其中，所述非晶硅碳缓冲层(710)的带隙范围为1.8～1.9eV。

14.根据权利要求10所述的薄膜太阳电池，其中，所述非晶硅碳缓冲层(710)的厚度范围为5～10nm。

15.根据权利要求10所述的薄膜太阳电池，其中，所述Protocrystalline阻挡层(720)的厚度范围为5～30nm。

16.根据权利要求10所述的薄膜太阳电池，其中，所述Protocrystalline阻挡层(720)的厚度范围为5～15nm。