[发明专利]制备自我对准隔离区的方法

权利要求书

1.一种制备自我对准隔离区的方法，其特征在于其制备多个自我对准隔离区于一基材上的二邻近感测元件间，以降低该些邻近感测元件的串音，该制备自我对准隔离区的方法包括以下步骤：

图案化一氧化层，以形成具有一开口的一氧化物植入掩膜，该开口是位于该基材上的该些邻近感测元件之间；

进行一第一植入，以形成一深掺杂区于该些邻近感测元件之间，该第一植入是由与该基材的一上表面的下方相距一距离处开始进行；以及

在进行该第一植入后进行一第二植入，以形成一浅掺杂区于该些邻近感测元件之间，其中该深掺杂区和该浅掺杂区是自我对准的，其中该浅掺杂区的一底部和该深掺杂区的一顶部重叠，其中该浅掺杂区和该深掺杂区防止多个电子在该些邻近感测元件间流动。

2.根据权利要求1所述的制备自我对准隔离区的方法，其特征在于其还包含：

在进行该第一植入后与进行该第二植入前，沉积一共形的介电层于该氧化物植入掩膜的上方，以减少该开口的宽度至一新宽度。

3.根据权利要求1所述的制备自我对准隔离区的方法，其特征在于其中所述的浅掺杂区的宽度是等于或小于该深掺杂区的宽度。

4.根据权利要求1所述的制备自我对准隔离区的方法，其特征在于其还包含：

沉积一氧化物蚀刻中止层于该氧化层的下方。

5.根据权利要求1所述的制备自我对准隔离区的方法，其特征在于其中所述的图案化该氧化层的操作步骤包含：

沉积一氧化层于该基材上；

沉积一非晶碳层于该氧化层的上方；

沉积一硬掩膜层于该非晶碳层的上方；

形成一光阻层于该硬掩膜层的上方；

使用该光阻掩膜为一第一蚀刻掩膜来蚀刻该硬掩膜层；

使用被蚀刻的该硬掩膜层为一第二蚀刻掩膜来蚀刻该非晶碳层；

使用被蚀刻的该非晶碳层为一第三蚀刻掩膜来蚀刻该氧化层；以及

从该基材去除该蚀刻的非晶碳层。

6.根据权利要求1所述的制备自我对准隔离区的方法，其特征在于其中该些感测元件为多个n型二极管，且该些深掺杂区与该些浅掺杂区是被p型掺质所掺杂。

7.根据权利要求2所述的制备自我对准隔离区的方法，其特征在于其中所述的共形的介电层是通过原子层沉积或金属有机化学气相沉积所沉积的一氧化层。

8.一种制备自我对准隔离区的方法，其特征在于其制备多个自我对准隔离区于一基材上的二邻近感测元件间，以降低该些邻近感测元件的串音，该制备自我对准隔离区的方法包括以下步骤：

图案化一介电层，以形成具有一开口的一介电植入掩膜，该开口是位于该基材之上的该些邻近感测元件之间；

进行一第一植入，以形成一深掺杂区于该些二个邻近感测元件之间，该第一植入是由与该基材的一上表面的下方相距一距离处开始进行；

在进行该第一植入后与进行该第二植入前，沉积一共形的介电层于该介电植入掩膜的上方，以减少该开口的宽度至一新宽度；以及

在进行该第一植入后，进行一第二植入，以形成一浅掺杂区介于该些邻近感测元件之间，其中该深掺杂区与该浅掺杂区是自我对准的，其中该浅掺杂区的一底部与该深掺杂区的一顶部重叠，其中该浅掺杂区与该深掺杂区防止多个电子在该些相邻感测元件间流动。

9.根据权利要求8所述的制备自我对准隔离区的方法，其特征在于其中所述的共形的介电层是通过原子层沉积或金属有机化学气相沉积所沉积的一介电层。

10.根据权利要求8所述的制备自我对准隔离区的方法，其特征在于其中所述的图案化该介电层的操作步骤包含：

沉积一介电蚀刻中止层于该介电层的下方；

沉积该介电层于该介电蚀刻中止层的上方；

沉积一非晶碳层于该介电层的上方；

沉积一硬掩膜层于该非晶碳层的上方；

形成一光阻层于该硬掩膜层的上方；

使用该光阻掩膜为一第一蚀刻掩膜来蚀刻该硬掩膜层；以及

使用该蚀刻的硬掩膜层为一第二蚀刻掩膜来蚀刻该非晶碳层。