[发明专利]通过焦耳效应热活化的选择性官能化

权利要求书

1.一种通过将受体分子(R)共价接枝至导电材料或半导体材料(M)的表面而使所述导电材料或半导体材料(M)官能化的方法，所述方法包括如下步骤：

i)跨位于所述材料(M)的任一侧上的源极和漏极的末端施加足够的电势差以使所述材料(M)针对所述分子(R)的接枝反应热活化；以及

ii)使由此活化的所述材料(M)与含有受体分子(R)的液体或气体介质接触，由此获得由共价接枝的受体分子(R)官能化的材料(M)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述材料(M)为半导体。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述半导体为碳基、硅基、锗基、锌基、镓基、铟基或镉基材料或有机半导体。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述半导体为硅基半导体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述材料(M)包括硅纳米线或硅纳米片。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述材料(M)为碳基材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述材料(M)包括碳纳米管或片。

8.根据权利要求4所述的方法，其中所述受体分子(R)包含-C≡C-或-HC＝CH-基团。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述受体分子选自乙炔基二茂铁或4-乙炔基塔宾醇。

10.根据权利要求6和7中任一项所述的方法，其中所述受体分子包括重氮盐、三氮烯或二烯。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述受体分子选自重氮二茂铁或4-重氮苄基塔宾醇。

12.一种使用根据权利要求1至11所述的方法获得的通过接枝受体官能团(R)而官能化的导电材料或半导体材料(M)。

13.一种化学传感器，其包括由导电材料或半导体材料(M)分隔的漏极和源极，其中所述材料(M)为根据权利要求12所述的材料。