[发明专利]一种移相装置及其应用的天线系统无效
申请号: | 201110212009.5 | 申请日: | 2011-07-27 |
公开(公告)号: | CN102263313A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 廖志强;彭中卫;刘少东;刘新明 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01P1/18 | 分类号: | H01P1/18;H01Q3/32 |
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地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 装置 及其 应用 天线 系统 | ||
1.一种移相装置,其特征在于,包括第一导体段、第一分接元件、馈电单元以及介电元件,所述馈电单元与所述第一分接元件相电连接,所述第一分接元件与所述第一导体段之间电连接,所述第一分接元件可沿所述第一导体段移动用以改变流经所述馈电单元、第一分接元件以及第一导体段的信号的相位,所述介电元件设置在邻近所述第一导体段的位置处用以改变所述第一导体段附近的相对介电常数以增加所述第一导体段的电长度。
2.如权利要求1所述移相装置,其特征在于,所述第一导体段为带状弧形,所述第一分接元件绕一旋转轴心旋转以实现沿所述第一导体段移动。
3.如权利要求2所述移相装置,其特征在于,还包括旋转轴,所述旋转轴设置在所述第一分接元件的旋转轴心处,所述第一分接元件设置在所述旋转轴上并可沿所述旋转轴或在所述旋转轴的带动下转动。
4.如权利要求2所述移相装置,其特征在于,所述第一导体段包括第一耦合区及位于所述第一耦合区相对两端的第一连接区,所述第一导体段的第一耦合区形成有一第一滑槽,所述第一滑槽由所述第一耦合区与一所述第一连接区的连接处沿所述第一耦合区延伸至所述第一耦合区与另一所述第一连接区的连接处,所述第一分接元件与所述第一导体段相电连接的部分位于所述第一滑槽内。
5.如权利要求4所述移相装置,其特征在于,所述第一滑槽沿由所述第一分接元件的旋转轴心与所述第一分接元件的连线的延伸方向贯穿所述第一耦合区。
6.如权利要求4所述移相装置,其特征在于,所述第一耦合区包括第一耦合片及第二耦合片,所述第一耦合片与所述第二耦合片相互间隔设置且通过各自相对的两端部与所述第一连接区连接,所述第一滑槽形成在所述第一耦合片及第二耦合片之间,所述第一分接元件与所述第一耦合片及第二耦合片电连接。
7.如权利要求1至6所述移相装置,其特征在于,所述介电元件包括第一介电层及第二介电层,所述第一介电层及所述第二介电层间隔设置,所述第一导体段与所述第一分接元件的电连接区域夹置在所述第一介电层及所述第二介电层之间。
8.如权利要求7所述移相装置,其特征在于,所述第一介电层与邻近的第一导体段或第一分接元件之间形成有间隙,所述第二介电层与邻近的第一导体段或者第一分接元件之间形成有间隙。
9.如权利要求7所述移相装置,其特征在于,所述第一介电层及所述第二介电层与所述第一导体段的形状相似。
10.如权利要求7所述移相装置,其特征在于,所述第一介电层及所述第二介电层沿垂直于所述分接元件的移动平面方向的厚度为0.5mm-5mm。
11.如权利要求7所述移相装置,其特征在于,所述第一介电层及所述第二介电层选自相对介电常数在1.5-16范围内的材料。
12.如权利要求1所述移相装置,其特征在于,所述移相装置还包括第二导体段及第二分接元件,所述馈电单元与所述第二分接元件相电连接,所述第二分接元件与所述第二导体段之间电连接,所述第二分接元件可沿所述第二导体段移动用以改变流经所述馈电单元、第二分接元件以及第二导体段的信号的相位;其中,所述第二分接元件与所述第一分接元件通过一同步装置实现同步移动,且第二分接元件与所述第一分接元件的移动路径互不干涉。
13.如权利要求12所述移相装置,其特征在于,所述第一导体段为带状弧形,所述第一分接元件绕一旋转轴心旋转以实现沿所述第一导体段移动;所述第二导体段为带状弧形,所述第二分接元件绕另一旋转轴心旋转以实现沿所述第二导体段移动。
14.如权利要求13所述移相装置,其特征在于,所述第一分接元件的旋转轴心与所述第二分接元件旋转轴心重合,所述同步装置为设置在所述第一分接元件及所述第二分接元件旋转轴心处的旋转轴,所述第一分接元件及所述第二分接元件分别设置在所述旋转轴上并可沿所述旋转轴或在所述旋转轴的带动下转动。
15.如权利要求14所述移相装置,其特征在于,所述第二分接元件设置在所述第一分接元件与所述第一导体段相电连接的一端,所述第二导体段与所述第二分接元件远离所述第一分接元件的一端相电连接。
16.如权利要求15所述移相装置,其特征在于,所述第二导体段与所述第一导体段相互平行且间隔一定距离。
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