[发明专利]一种用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列制备方法

权利要求书

1.一种用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步、等离子体显示器前面板的清洗烘干；

第二步、均匀碳纳米管薄膜的制作：首先对碳纳米管进行前处理，然后以水或乙醇或异丙醇及表面活性剂配成碳纳米管悬浊液，再超声处理，旋涂后烘干；

第三步、在碳纳米管上制备一层透明薄膜；

第四步、旋涂光刻胶、烘胶、曝光、显影，把需要刻蚀掉的薄膜图形露出，然后以光刻胶做掩模进行刻蚀，将阵列结构制作于电场强度较强的前面板位置； 

第五步、用丙酮和乙醇分别对样品进行浸泡刻蚀，去除光刻胶，最后用去离子水或乙醇超生清洗，去除未被阵列覆盖的碳纳米管，得到碳纳米管阵列结构；

第六步、制备氧化镁保护层。

2.根据权利要求1所述的用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列制备方法，其特征是，第一步，所述等离子体显示器前面板的清洗烘干是指：用乙醇浸泡然后超声清洗，最后烘干。

3.根据权利要求1所述的用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列制备方法，其特征是，第二步中，所述的前处理是指：称取3-10g的单壁碳纳米管或多壁碳纳米管放入2个钢罐中，分两次进行球磨，每次球磨3h；球磨好之后取出，加入硫酸：硝酸体积比为3:1的混合酸液60-70℃下回流处理3-5h，冷却后用去离子水反复清洗沉降，直至PH为6-7，用离心机分离出碳纳米管，然后用真空烘箱烘干。

4.根据权利要求1所述的用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列制备方法，其特征是，第二步中，所述再超声处理，旋涂后烘干，是指：在保持室温的环境下超声2h，使用甩胶机进行旋涂，转速为2000-4000rmp，时间为10-20s，然后在50-60℃烘干。

5.根据权利要求1所述的用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列制备方法，其特征是，第三步中，在碳纳米管上制备一层透明薄膜是指：在碳纳米管上通过磁控溅射或化学气相沉积或丝网印刷方法制备一层2-3??m的透明薄膜。

6.根据权利要求1所述的用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列制备方法，其特征是，第四步中，所述的光刻胶厚度为2-10??m。

7.一种根据权利要求1所述方法制备得到的用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列结构，其特征在于，包括：玻璃基板、玻璃粉介质层、ITO透明电极、汇流电极、碳纳米管阵列结构、透明薄膜阵列、氧化镁保护膜、障壁和寻址电极，其中：碳纳米管阵列结构、氧化镁保护膜和障壁分别位于上、下相对设置的两个玻璃粉介质层之间，上玻璃粉介质层、汇流电极和ITO透明电极依次由下而上设置，下玻璃粉介质层置于寻址电极之上，两块玻璃基板分别设置于上、下玻璃粉介质层的外侧，透明薄膜阵列设置在碳纳米管阵列结构上。

8.根据权利要求7所述的用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列结构，其特征在于，所述的障壁垂直于玻璃基板，且位于氧化镁保护膜与下玻璃粉介质层之间的空隙处，且与下玻璃粉介质层相连接。

9.根据权利要求7所述的用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列结构，其特征在于，所述透明薄膜阵列直径为15-25??m，间距为30-50??m，厚度为2-4??m；所述的透明薄膜是氧化铝或烧结玻璃粉或氧化硅薄膜。

10.根据权利要求7所述的用于降低等离子体显示器功耗的场发射阵列结构，其特征是，所述氧化镁保护层厚度为500nm。