[发明专利]一种高效抗辐射激光晶体及制备方法

权利要求书

1.一种高效抗辐射激光晶体，其特征在于：所述晶体的化学式为：Yb³⁺，Ho³⁺:Gd₃Sc₂Ga₃O₁₂，分子式为Yb_3xHo_3yGd_3(1-x-y)Sc₂Ga₃O₁₂，其中0＜x＜1，0＜y＜1。

2.根据权利要求书1所述的高效抗辐射激光晶体，其特征在于：所述分子式Yb_3xHo_3yGd_3(1-x-y)Sc₂Ga₃O₁₂中，Yb³⁺离子的掺杂浓度范围是5at％-20at％，即0.05＜x＜0.2；Ho³⁺离子的掺杂浓度范围是0.5at％-5at％，即0.005＜y＜0.05，其中at％表示原子百分比。

3.根据权利要求书1所述的高效抗辐射激光晶体，其特征在于：所述激光晶体以抗辐射晶体GSGG为基质。

4.根据权利要求书1所述的高效抗辐射激光晶体，其特征在于：所述晶体使用中心波长在940nm、970nm或980nm附近的25W的较大功率的半导体激光器作为泵浦源。

5.按照权利要求1所述的高效抗辐射激光晶体的制备方法，其特征在于采用下述方法之一实现：

①固相法或液相法制备多晶原料

按照下列化学反应式：

3xYb₂O₃+3yHo₂O₃+3(1-x-y)Gd₂O₃+2Sc₂O₃+3Ga₂O₃＝2Yb_3xHo_3yGd_3(1-x-y)Sc₂Ga₃O₁₂，其中x＝0.05-0.2，y＝0.005-0.05，通过固相反应法或液相法制得Yb，Ho:GSGG多晶原料；

②熔体法生长单晶

使用上述固相法或液相法制备的Yb，Ho:GSGG多晶原料，采用熔体法制备Yb，Ho:GSGG单晶。