[发明专利]一种高效抗辐射激光晶体及制备方法无效

专利信息
申请号: 201110218843.5 申请日: 2011-08-02
公开(公告)号: CN102277620A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 孙敦陆;张庆礼;罗建乔;刘文鹏;谷长江;秦清海;李为民;韩松;江海河;殷绍唐 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B27/02
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 成金玉
地址: 230031 *** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 高效 辐射 激光 晶体 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于人工晶体材料领域,具体的说是一种高效抗辐射激光晶体及制造方法。

背景技术

在辐射环境和空间环境中应用的激光器会受到γ射线和宇宙射线等高能粒子的辐射,从而要求激光器具有抗高能射线辐射的能力,因此高效抗辐射激光材料对于辐射环境和空间环境激光技术的发展具有重要的意义。

钆钪镓石榴石晶体Gd3Sc2Ga3O12(GSGG)是性能优良的激光工作基质,晶体结构属于立方晶系,可以采用熔体提拉法生长出高光学质量的单晶。Zharikov(E.V.Zharikov,et al.Effect of UV-and γ-irradiation on the lasing characteristics of neodymium lasers,Bull.Acad.Sei.USSR,Phys.SHo.,1984,48:103)等人的实验证明,Nd,Cr:GSGG激光器在受到紫外线或10Mrad的60Coγ射线辐照后,其激光性能几乎不受影响,而Nd:YAG(Y3Al5O12)激光器在受到1Mrad的γ射线辐照后,其激光输出下降了一个数量级。我们的60Coγ射线辐照实验也证明了GSGG基质优良的抗辐射性能。文献(Y.N.Xu,et al.Electronic structure and bonding in garnet Gd3Sc2Ga3O12,Gd3Sc2Al3O12 and Gd3Ga5O12 compared to Y3Al5O12,Physical Review B,2000,61:1817)对GSGG晶体抗辐射机制的研究认为,位于八面氧配位体中心的Sc原子与GGG、YAG晶体中相同位置的Ga和Al原子相比,具有较高的共价特点及键的有序性,使抵抗色心形成的能力增强,是GSGG晶体具有强抗辐射能力的主要原因。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院合肥物质科学研究院,未经中国科学院合肥物质科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110218843.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top