[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，配置于一基板上，并与一扫描线以及一数据线电性连接，其特征在于，所述的像素结构具有一反射区，所述的像素结构包括：

一共用配线；

一半导体下电极，配置于所述的反射区内的所述的基板上，并与所述的共用配线电性连接；

一上电极，配置于所述的半导体下电极上方，并与所述的半导体下电极电性绝缘；

一图案化介电层，配置于所述的上电极上，并暴露出部分所述的上电极，所述的图案化介电层具有多个彼此不相连的微形凸起结构以暴露出部分所述的上电极；

一反射电极，配置于所述的图案化介电层以及部分所述的上电极上，所述的反射电极与所述的上电极电性连接；

一主动元件，配置于所述的基板上，所述的主动元件电性连接于扫描线以及数据线，且所述的主动元件与所述的反射电极电性连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述彼此不相连的微形凸起结构暴露出部分所述的上电极具体为：相邻两彼此不相连的微形凸起结构的间隙暴露出部分所述的上电极。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述的像素结构更包括一穿透区，且所述的像素结构更包括一像素电极位于所述的穿透区内，所述的像素电极与所述的反射电极电性连接。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述的像素结构更包括一栅绝缘层，配置于所述的上电极以及所述的半导体下电极之间，以使所述的半导体下电极与所述的上电极之间构成一储存电容。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述的图案化介电层更包括一第一接触窗及一第二接触窗，所述的反射电极通过所述的第一接触窗与所述的主动元件电性连接，所述的半导体下电极通过所述的第二接触窗与所述的共用配线电性连接，所述多个彼此不相连的微形凸起结构和所述第一接触窗及所述第二接触窗同时生成。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述的主动元件是顶栅型薄膜晶体管。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述的主动元件具有一半导体层，且所述的半导体层具有一与所述的反射电极连接的漏极区，所述的主动元件透过所述的漏极区与所述的反射电极电性连接。

8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述的半导体下电极与所述的主动元件的半导体层的漏极区属于同一薄膜。

9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述的半导体下电极的组成包括多晶硅。

10.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述的上电极的材料与所述的反射电极的材料相同。

11.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述的反射电极的材料包括铝、钼或钛。

12.一种像素结构，配置于一基板上，并与一扫描线以及一数据线电性连接，其特征在于，所述的像素结构具有一反射区，所述的像素结构包括：

一共用配线；

一半导体下电极，配置于所述的反射区内的所述的基板上，并与所述的共用配线电性连接；

一上电极，配置于所述的半导体下电极上方，并与所述的半导体下电极电性绝缘；

一图案化介电层，配置于所述的上电极上，并暴露出部分所述的上电极，所述的图案化介电层具有多个微形凸起结构；

一反射电极，配置于所述的图案化介电层以及部分所述的上电极上，所述的反射电极与所述的上电极呈多点电性连接；

一主动元件，配置于所述的基板上，所述的主动元件电性连接于扫描线以及数据线，且所述的主动元件与所述的反射电极电性连接。