[发明专利]像素结构

说明书

本申请是申请号为200710169645.8、申请日为2007年11月13日、发明名称为“像素结构”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明是有关于一种液晶显示面板，且特别是有关于一种像素结构。

背景技术

现今社会多媒体技术相当发达，多半受惠于半导体元件或显示装置的进步。就显示器而言，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的液晶显示器已逐渐成为市场的主流。一般液晶显示器可分为穿透式、反射式，以及半穿透半反射式三大类。其中半穿透半反射式液晶显示器可同时在光线充足与光线不足的情形下使用，因此可应用的范围较广。

就半穿透半反射式液晶显示器而言，在其制作时通常会将穿透区与反射区的晶穴间距(cell gap)设计成不同，即双重晶穴间距(dual cell gap)。但是，具有双重晶穴间距的半穿透半反射式液晶显示器在制作上较为复杂，且穿透区与反射区的交接处因为有间距的变化而有光穿透率不尽理想的问题，进而造成整体开口率(aperture ratio)下降。

因此，一种微反射式液晶显示器被提出，微反射式液晶显示器属于半穿透半反射式液晶显示器的一种。一般而言，半穿透半反射式液晶显示器中的薄膜晶体管阵列基板上的金属走线，如薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)、扫描线、数据线、共用配线等，会将外界光源反射，以达到1～2％的微反射率。微反射式液晶显示器是在薄膜晶体管阵列基板上的金属走线密集区域增加一平板反射层，以增加对外界光源的反射率。此外，微反射式液晶显示器的平板反射层与下方的金属走线可以作为储存电容。

图1为一种微反射式液晶显示器的储存电容结构示意图。请参照图1，储存电容结构100包括一平板反射层110、一夹层电极120以及一下电极130。平板反射层110与薄膜晶体管(未绘示)电性连接而具有一电压Vp，其中平板反射层110与下电极130连接。夹层电极120与共用配线(未绘示)电性连接而具有一电压Vc。因此平板反射层110与夹层电极120之间构成储存电容C1以及夹层电极120与下电极130之间构成储存电容C2。

然而，此种微反射式液晶显示器的反射率仍无法完全满足使用上的需求，例如在强光下，仍有无法辨识显示信息的缺点，因此通常尚需在微反射式液晶显示器的上偏光片中加入扩散胶，以使得观察者能够更容易观察到被平板反射层所反射的光线。

发明内容

有鉴于此，本发明提出一种像素结构，其具有较高的反射率。

以下为具体描述本发明的内容，本发明提出一种像素结构，此像素结构配置于一基板上，并与一扫描线以及一数据线电性连接，像素结构具有一反射区，像素结构包括一共用配线、一半导体下电极、一上电极、一图案化介电层、一反射电极以及一主动元件。半导体下电极配置于反射区内的基板上，并与共用配线电性连接。上电极配置于半导体下电极上方，并与半导体下电极电性绝缘。图案化介电层配置于上电极上，并暴露出部分上电极，图案化介电层具有多个彼此不相连的微形凸起结构以暴露出部分所述的上电极。反射电极配置于图案化介电层与部分上电极上，并与上电极电性连接。主动元件电性连接于扫描线以及数据线，并与反射电极电性连接。

在本发明的一实施例中，彼此不相连的微形凸起结构暴露出部分所述的上电极具体为：相邻两彼此不相连的微形凸起结构的间隙暴露出部分所述的上电极。

在本发明的一实施例中，像素结构更包括一穿透区，且像素结构更包括一像素电极位于穿透区内，像素电极与反射电极电性连接。

在本发明的一实施例中，像素结构更包括一栅绝缘层，配置于上电极以及半导体下电极之间，以使半导体下电极与上电极之间构成一储存电容。

在本发明的一实施例中，图案化介电层更包括一第一接触窗及一第二接触窗，反射电极通过第一接触窗与主动元件电性连接，半导体下电极通过第二接触窗与共用配线电性连接，多个彼此不相连的微形凸起结构和第一接触窗及第二接触窗同时生成。

在本发明的一实施例中，主动元件是顶栅型薄膜晶体管。

在本发明的一实施例中，主动元件具有一半导体层，且半导体层具有一与反射电极连接的漏极区，主动元件透过漏极区与反射电极电性连接。

在另一实施例中，半导体下电极与主动元件的半导体层的漏极区属于同一薄膜。

在本发明的一实施例中，半导体下电极的组成包括多晶硅。

在本发明的一实施例中，上电极的材料与反射电极的材料相同。

在本发明的一实施例中，反射电极的材料包括铝、钼或钛。