[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201110219581.4 | 申请日: | 2011-07-27 |
公开(公告)号: | CN102412134A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 富藤幸雄 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅会;郭晓东 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,具有:
湿处理室,对基板进行湿处理,
基板搬运装置,配设在所述湿处理室内,以水平姿势或在与基板搬运方向垂直的方向上相对于水平面倾斜的姿势,沿着水平方向搬运基板,
处理液供给装置,向配设在所述湿处理室内的基板搬运装置所搬运的基板的主面供给处理液;
其特征在于,
所述处理液供给装置具有多个喷嘴,所述多个喷嘴在与基板搬运方向交叉的方向或基板搬运方向上等间距且相互平行地配置,用于将处理液喷出至基板的主面;
所述多个喷嘴各自具有:
喷管部,在所述基板搬运方向或与所述基板搬运方向交叉的方向上延伸,
多个嘴部,在所述喷管部的长度方向上相互接近地形成为一列,从该嘴部的喷出口向基板的主面喷出处理液;
通过在多个所述喷管部上以特定方式形成所述多个嘴部,使喷出后的处理液在基板的主面上积极地流动,该特定方式为:使与基板的主面相向的所述多个嘴部的喷出口的倾斜程度,从呈水平姿势被搬运的基板的主面的与所述基板搬运方向交叉的方向上的中央部附近朝向两端部附近或从基板的主面的所述基板搬运方向上的中央部附近朝向两端部附近,相对于铅垂线逐渐变大,或者,使与基板的主面相向的所述多个嘴部的喷出口的倾斜程度,从呈倾斜的姿势被搬运的基板的主面的倾斜上端部附近朝向倾斜下端部附近,相对于基板的主面的法线逐渐变大。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,在与基板搬运方向交叉的方向上等间距地配置的所述多个喷嘴的所述多个嘴部,在与该基板搬运方向交叉的方向上配置为交错状。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,在基板搬运方向上等间距地配置的所述多个喷嘴的所述多个嘴部,在该基板搬运方向上配置为交错状。
4.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,从所述多个嘴部的喷出口喷出的处理液的喷出量相等。
5.如权利要求1~4中的任一项所述的基板处理装置,从所述多个嘴部的喷出口喷出的处理液为蚀刻液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造