[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201110219581.4 | 申请日: | 2011-07-27 |
公开(公告)号: | CN102412134A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 富藤幸雄 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅会;郭晓东 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置,其对液晶显示装置(LCD)用、等离子显示器(PDP)用、有机发光二极管(OLED)用、场致发射显示器(FED)用、真空荧光显示器(VFD)用、太阳能电池板用等的玻璃基板、磁盘/光盘用的玻璃基板/陶瓷基板、半导体晶片、电子设备基板等各种基板,喷出纯水等清洗液、蚀刻液、显影液、抗蚀剂剥离液等药液等各种处理液,来对基板进行湿处理。
背景技术
以往,公知有如下的基板处理装置,即,一边通过在基板的搬运方向上排列的搬运辊等,在湿处理室内,以水平姿势或相对于水平面向与基板搬运方向垂直的方向倾斜的姿势搬运基板,一边从喷嘴向基板的表面喷出喷淋状的处理液,来进行规定的基板处理。在这样的基板处理装置中,按照处理的种类,从喷嘴向基板的表面喷出纯水等清洗液、蚀刻液、显影液、抗蚀剂剥离液等药液等各种处理液。
而且,在这样的基板处理装置中,喷嘴具有在基板搬运方向上延伸的喷管部和在喷管部的长度方向上相互接近地形成为一列的多个嘴部,为了向基板的整个表面上均匀地供给处理液,将该多个喷嘴在与基板搬运方向交叉的方向上等间距且相互平行地配置,使得从多个嘴部向基板的表面喷出处理液。图5是表示从以往的基板处理装置中的嘴部100向基板W的表面102喷出处理液的状态的示意图。
如图5所示,在通过这样的以往的基板处理装置喷出处理液时,在与附图平面垂直的方向上搬运的基板W的表面102的中央部附近,处理液的流动比基板W的两侧端部附近慢,从而在中央部附近处理液产生滞留,由此所喷出的新旧处理液的更换作用差,结果使处理不均匀。
为了解决该问题,使用如下装置,即,在该装置中使喷嘴的喷管部以其长度方向的中心轴为中心往复转动,来改变处理液的喷出方向,由此促进基板表面上的新旧处理液进行置换(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:JP特开平10-79368号公报。
图6A、图6B是表示从以往的喷管部往复转动型的基板处理装置中的嘴部100向基板W的表面102喷出处理液的状态的示意图。
在该基板处理装置中,喷嘴具有在基板搬运方向(与附图平面垂直的方向)上延伸的喷管部(未图示)和在喷管部的长度方向上相互接近地形成为一列的多个嘴部100,将该多个喷嘴在与基板搬运方向交叉的方向上等间距且相互平行地配设,通过转动机构(未图示),一边使喷嘴以各喷管部的中心轴为中心沿着图6A中的箭头A方向以及图6B中的箭头B方向往复转动,一边改变从嘴部100向基板的表面102喷出处理液的喷出方向。但是,在反复进行这样的往复转动的过程中,在喷出到基板W的表面102上后暂且向基板W的一端方向流动的处理液会向反方向(另一端方向)流动,在基板中央部附近和两侧端部附近,处理液的滞留量不同,因此处理的进行状况不均。
发明内容
本发明是鉴于以上情况而提出的,其目的在于提供防止喷射至基板表面上的处理液滞留且能够有效地使基板的整个面上的处理均匀的基板处理装置。
技术方案1的发明为一种基板处理装置,具有:湿处理室,对基板进行湿处理,基板搬运装置,配设在所述湿处理室内,以水平姿势或在与基板搬运方向垂直的方向上相对于水平面倾斜的姿势,沿着水平方向搬运基板,处理液供给装置,向配设在所述湿处理室内的基板搬运装置所搬运的基板的主面供给处理液;其特征在于,所述处理液供给装置具有多个喷嘴,所述多个喷嘴在与基板搬运方向交叉的方向或基板搬运方向上等间距且相互平行地配置,用于将处理液喷出至基板的主面;所述多个喷嘴各自具有:喷管部,在所述基板搬运方向或与所述基板搬运方向交叉的方向上延伸,多个嘴部,在所述喷管部的长度方向上相互接近地形成为一列,从该嘴部的喷出口向基板的主面喷出处理液;通过在多个所述喷管部上以特定方式形成所述多个嘴部,使喷出后的处理液在基板的主面上积极地流动,该特定方式为:使与基板的主面相向的所述多个嘴部的喷出口的倾斜程度,从呈水平姿势被搬运的基板的主面的与所述基板搬运方向交叉的方向上的中央部附近朝向两端部附近或从基板的主面的所述基板搬运方向上的中央部附近朝向两端部附近,相对于铅垂线逐渐变大,或者,使与基板的主面相向的所述多个嘴部的喷出口的倾斜程度,从呈倾斜的姿势被搬运的基板的主面的倾斜上端部附近朝向倾斜下端部附近,相对于基板的主面的法线逐渐变大。
技术方案2的发明的特征在于,在技术方案1所述的基板处理装置中,在与基板搬运方向交叉的方向上等间距地配置的所述多个喷嘴的所述多个嘴部,在与基板搬运方向交叉的方向上配置为交错状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造