[发明专利]含咔唑的有机半导体材料及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201110226856.7 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102924518A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;梁禄生;张娟娟 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | C07F9/572 | 分类号： | C07F9/572;H01L51/00;H01L51/54;H01L51/46;H01L51/30 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518052 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含咔唑 有机半导体 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种含咔唑的有机半导体材料，其分子结构通式为下述(I)：
(I)式中，R为烷氧基。
2.根据权利要求1所述的含咔唑的有机半导体材料，其特征在于：所述烷氧基中碳原子数为C1～C8。
3.一种含咔唑的有机半导体材料制备方法，包括如下步骤：
获取如下结构式表示的化合物A，其中，R为烷氧基，
A：
在无水、无氧环境和有机溶剂的体系中，在-78℃～-70℃温度下，先将化合物A与正丁基锂混合反应，再加入二苯基氯化膦，升温至20～25℃下继续反应，得到中间产物；
将所述中间产物溶解，并加入氧化剂进行氧化反应，得到如下结构通式(I)表示的含咔唑的有机半导体材料，
4.根据权利要求3所述的含咔唑的有机半导体材料制备方法，其特征在于：所述正丁基锂、化合物A和二苯基氯化膦三反应物的摩尔比为2∶1∶2～2.5∶1∶2.5。
5.根据权利要求3所述的含咔唑的有机半导体材料制备方法，其特征在于：所述化合物A与正丁基锂反应的时间为1～3小时。
6.根据权利要求3所述的含咔唑的有机半导体材料制备方法，其特征在于：在所述20～25℃下继续反应的时间为3～12小时。
7.根据权利要求3所述的含咔唑的有机半导体材料制备方法，其特征在于：所述氧化剂为H2O2。
8.根据权利要求7所述的含咔唑的有机半导体材料制备方法，其特征在于：所述所述H2O2与所述中间产物的摩尔比为：100∶1～160∶1。
9.根据权利要求3所述的含咔唑的有机半导体材料制备方法，其特征在于：所述有机溶剂为四氢呋喃、苯、环己烷、乙醚中的至少一种。
10.根据权利要求1至2任一所述的含咔唑的有机半导体材料在有机电致发光器、有机太阳能电池、有机场效应晶体管、有机光存储器、有机非线性材料或/和有机激光器中的应用。
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