[发明专利]一种提高面阵CCD帧频的方法及高帧频CCD器件有效

专利信息
申请号: 201110242777.5 申请日: 2011-08-25
公开(公告)号: CN102300056A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 杨少华;李斌康;郭明安;孙凤荣;夏惊涛;罗通顶;陈彦丽 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: H04N5/359 分类号: H04N5/359;H04N5/235
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 王少文
地址: 71002*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 ccd 帧频 方法 器件
【权利要求书】:

1.一种提高面阵CCD帧频的方法,其特征在于:包括以下步骤:

1】将面阵CCD沿水平方向分成A个单元,每个单元分成若干个上下间隔设置的曝光像敏区和遮挡区,每个曝光像敏区包括m行外露的光敏元,每个遮挡区包括n行遮挡的光敏元;

2】面阵CCD曝光,曝光像敏区的m行光敏元生成光生电荷;

3】在像敏区行转移脉冲的作用下,光生电荷向下方的遮挡区垂直转移m行;

4】重复步骤2】和步骤3】共(n/m)次;

5】面阵CCD曝光,曝光像敏区的m行光敏元生成光生电荷;

6】在驱动时序脉冲的作用下,面阵CCD逐行水平输出光生电荷。

2.根据权利要求1所述的提高面阵CCD帧频的方法,其特征在于:所述A=1;所述面阵CCD的第一行为曝光像敏区。

3.根据权利要求1所述的提高面阵CCD帧频的方法,其特征在于:所述A>1;所述奇数单元的第一行为曝光像敏区;所述偶数单元的第一行为遮挡区,所述偶数单元的曝光像敏区位于奇数单元上下相邻曝光像敏区的中心对称区所在的m行上。

4.根据权利要求1或2或3所述的提高面阵CCD帧频的方法,其特征在于:所述的面阵CCD为b相CCD,其中b为大于等于2的整数;所述像敏区行转移脉冲为b个交叠脉冲序列;所述b个交叠脉冲序列如下:

过程1--前曝光等待,曝光,每个单元转移像敏区m行像素,即产生m个像敏区行转移脉冲;

过程2--循环过程1,共重复n次;

过程3--前曝光等待,曝光;

过程4--进入输出时序。

5.根据权利要求4所述的提高面阵CCD帧频的方法,其特征在于:所述m=1。

6.根据权利要求5所述的提高面阵CCD帧频的方法,其特征在于:还包括曝光过程中向面阵CCD提供同步脉冲强光源的步骤。

7.一种高帧频CCD器件,包括面阵CCD,其特征在于:

还包括在面阵CCD光敏区沿光入射方向一侧紧贴光敏元处安装的不透明掩膜板,所述掩膜板的长宽尺寸大于光敏区的长宽尺寸,所述掩膜板沿水平方向分成A个单元,每个单元沿水平方向开有若干个长方形孔构成曝光像敏区,每个曝光像敏区的宽度小于或等于m行光敏元的宽度,每个曝光像敏区的长度小于每个单元的,每个曝光像敏区的上沿略低于或平齐于m行光敏元的最上沿,每个曝光像敏区的下沿略高于或平齐于m行光敏元的最下沿;所述m、n均为大于1的整数,且n为m的整数倍。

8.根据权利要求7所述的高帧频CCD器件,其特征在于:所述A=1;所述面阵CCD的第一行为曝光像敏区。

9.根据权利要求7所述的高帧频CCD器件,其特征在于:所述A>1;所述奇数单元的第一行为曝光像敏区;所述偶数单元的第一行为遮挡区,所述偶数单元的曝光像敏区位于奇数单元上下相邻曝光像敏区的中心对称区所在的m行上。

10.根据权利要求7或8或9所述的高帧频CCD器件,其特征在于:所述掩模板的材料为金属或不透明的非金属;所述的掩模板材料为陶瓷、硅或石英;所述掩模板表面镀有CCD工作光谱吸收膜。

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