[发明专利]双导通半导体组件及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201110243112.6 申请日: 2011-08-22
公开(公告)号: CN102956640A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 林伟捷 申请(专利权)人: 大中积体电路股份有限公司
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/8234
代理公司: 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 代理人: 刘云贵
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 双导通 半导体 组件 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种双导通半导体组件,其特征在于,包括:

一半导体基底,具有一第一导电类型,且该半导体基底具有一第一沟槽;

一第一基体掺杂区,具有一第二导电类型,该第一基体掺杂区设于该第一沟槽的一侧的该半导体基底中;

一第二基体掺杂区,具有该第二导电类型,该第二基体掺杂区设于该第一沟槽的另一侧的该半导体基底中;

一栅极绝缘层,覆盖于该第一沟槽的表面,且该栅极绝缘层具有一第一部分、一第二部分与一第三部分,其中该第一部分邻近该第一基体掺杂区,该第二部分邻近该第二基体掺杂区,该第三部分位于该第一沟槽的一底部与一侧壁的转折处,且该第一部分的厚度与该第二部分的厚度小于该第三部分的厚度;

一第一栅极导电层,设于邻近该第一基体掺杂区的该栅极绝缘层上,其中该第一部分位于该第一栅极导电层与该第一基体掺杂区之间;

一第二栅极导电层,设于邻近该第二基体掺杂区的该栅极绝缘层上,且该第二栅极导电层与该第一栅极导电层电绝缘,其中该第二部分位于该第二栅极导电层与该第二基体掺杂区之间;

一第一源极掺杂区,具有该第一导电类型,且设于该第一基体掺杂区中;以及

一第二源极掺杂区,具有该第一导电类型,且设于该第二基体掺杂区中。

2.如权利要求1所述的双导通半导体组件,其特征在于,还包括一第一接触插塞与一第二接触插塞,分别设于该第一基体掺杂区与该第二基体掺杂区上,且该第一接触插塞与该第二接触插塞部分重迭于该第一沟槽。

3.如权利要求2所述的双导通半导体组件,其特征在于,还包括一绝缘层,设于该第一接触插塞与该第一栅极导电层之间以及该第二接触插塞与该第二栅极导电层之间。

4.如权利要求3所述的双导通半导体组件,其特征在于,该绝缘层延伸至该第一栅极导电层与该第二栅极导电层之间,以将该第一栅极导电层与该第二栅极导电层电绝缘。

5.如权利要求2所述的双导通半导体组件,其特征在于,还包括一第一介电层,设于该第一接触插塞与该第二接触插塞之间。

6.如权利要求2所述的双导通半导体组件,其特征在于,还包括一第一源极金属层以及一第二源极金属层,设于该第一接触插塞与该第二接触插塞上,其中该第一源极金属层通过该第一接触插塞电连接该第一源极掺杂区,且该第二源极金属层通过该第二接触插塞电连接该第二源极掺杂区。

7.如权利要求6所述的双导通半导体组件,其特征在于,还包括一第二介电层,设于该第一接触插塞与该第二源极金属层之间以及设于该第二接触插塞与该第一源极金属层之间。

8.一种双导通半导体组件,其特征在于,包括:

一半导体基底,具有一第一导电类型,且该半导体基底具有一第一沟槽;

一第一基体掺杂区,具有一第二导电类型,该第一基体掺杂区设于该第一沟槽的一侧的该半导体基底中;

一第二基体掺杂区,具有该第二导电类型,该第二基体掺杂区设于该第一沟槽的另一侧的该半导体基底中;

一栅极绝缘层,覆盖于该第一沟槽的表面;

一第一栅极导电层,设于邻近该第一基体掺杂区的该栅极绝缘层上;

一第二栅极导电层,设于邻近该第二基体掺杂区的该栅极绝缘层上,且该第二栅极导电层与该第一栅极导电层电绝缘;

一第一源极掺杂区,具有该第一导电类型,且设于该第一基体掺杂区中;

一第二源极掺杂区,具有该第一导电类型,且设于该第二基体掺杂区中;以及

一第一接触插塞与一第二接触插塞,分别设于该第一基体掺杂区与该第二基体掺杂区上,该第一接触插塞电连接该第一源极掺杂区,且该第二接触插塞电连接该第二源极掺杂区,其中该第一接触插塞与该第二接触插塞部分重迭于该第一沟槽,并与该第一栅极导电层以及该第二栅极导电层电绝缘。

9.如权利要求8所述的双导通半导体组件,其特征在于,该栅极绝缘层具有一第一部分、一第二部分与一第三部分,其中该第一部分位于该第一栅极导电层与该第一基体掺杂区之间,该第二部分位于该第二栅极导电层与该第二基体掺杂区之间,该第三部分位于该第一沟槽的一底部与一侧壁的转折处,且该第一部分的厚度与该第二部分的厚度小于该第三部分的厚度。

10.如权利要求8所述的双导通半导体组件,其特征在于,还包括一绝缘层,设于该第一接触插塞与该第一栅极导电层之间以及该第二接触插塞与该第二栅极导电层之间。

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