[发明专利]高电压金属氧化半导体装置与制造该装置的方法

权利要求书

1.一种高电压金属氧化半导体装置，包括：

一源极；

一漏极；

一栅极，设置接近于该源极；

一漂移区域，设置于该漏极与该栅极和该源极的一区域之间；以及

一自我保护区域，设置接近于该漏极。

2.根据权利要求1所述的高电压金属氧化半导体装置，其中该自我保护区域包括二P型阱，该二P型阱设置于N型外延层中，且该二P型阱彼此隔开。

3.根据权利要求1所述的高电压金属氧化半导体装置，还包括：

一衬底，由P型材料制成；

一高电压N型阱区域，设置于该衬底的一部分中以形成该漂移区域；

一第一N型掺杂内埋层，设置于该衬底的另一部分，该第一N型掺杂内埋层与该高电压N型阱隔开；以及

一具有外延生长N型材料的N型外延层，设置于该衬底、该高电压N型阱区域及该第一N型掺杂内埋层上方处。

4.根据权利要求3所述的高电压金属氧化半导体装置，其中一主体源极P型阱是设置于该N型外延层的一部分，该N型外延层的该部分是邻接于接近该高电压N型阱区域的该N型外延层的一部分，其中该栅极的设置是从该主体源极P型阱延伸至一场氧化层，该场氧化层设置在接近于该高电压N型阱区域的该N型外延层的该部分的上方处，且其中该漏极设置在接近于该高电压N型阱区域的该N型外延层的另一部分，并也邻接于其上有该栅极形成的该场氧化层的一相对侧。

5.根据权利要求4所述的高电压金属氧化半导体装置，其中该自我保护区域包括一高电压互连区域P型阱，该高电压互连区域P型阱设置在该第一N型掺杂内埋层和接近于该高电压N型阱区域的该N型外延层的该部分之间。

6.根据权利要求5所述的高电压金属氧化半导体装置，其中一P型顶层设置接近于该高电压互连区域P型阱。

7.根据权利要求4所述的高电压金属氧化半导体装置，其中该高电压N型阱区域是设置以在该主体源极P型阱的下方处延伸。

8.根据权利要求3所述的高电压金属氧化半导体装置，还包括一第二N型掺杂内埋层，该第二N型掺杂内埋层设置接近于该高电压N型阱区域，其中一主体源极P型阱是设置于该第二N型掺杂内埋层的上方处。

9.根据权利要求1所述的高电压金属氧化半导体装置，还包括：

一衬底，由P型材料制成；

一第一高电压N型阱区域，设置于该衬底的一部分中以形成该漂移区域；

一第一N型掺杂内埋层，设置于该衬底的另一部分中；

一具有外延生长P型材料的P型外延层，设置于该衬底、该第一高电压N型阱与该第一N型掺杂内埋层的上方处；以及

一第二高电压N型阱区域，设置于该P型外延层中，该第二高电压N型阱区域接近于该第一高电压N型阱区域。

10.根据权利要求9所述的高电压金属氧化半导体装置，其中一主体源极P型阱是形成在接近该第一及该第二高电压N型阱区域处，其中该栅极的设置是从该主体源极P型阱延伸至一场氧化层，该场氧化层设置于该第二高电压N型阱区域的一部分上，且其中该漏极设置于该第二高电压N型阱区域的另一部分，该第二高电压N型阱区域的另该部分邻近于其上有该栅极形成的该场氧化层的一相对侧。

11.根据权利要求10所述的高电压金属氧化半导体装置，其中该自我保护区域包括一高电压互连区域P型阱，设置于该第一N型掺杂内埋层与该第一及该第二高电压N型阱区域之间。

12.根据权利要求1所述的高电压金属氧化半导体装置，其中该漂浮区域包括一P型顶层，该P型顶层设置于该漂浮区域的一部分中。

13.根据权利要求1所述的高电压金属氧化半导体装置，还包括：

一层间介电质材料层，设置于该栅极、该源极及该漏极的上方处；以及

一第一金属场板，设置于该层间介电质材料层的至少一部分上方处。

14.根据权利要求13所述的高电压金属氧化半导体装置，还包括一金属间介电质层，该金属间介电质层设置于该第一金属场板及一第二金属场板之间。