[发明专利]半导体装置用薄膜以及半导体装置有效
| 申请号： | 201110270510.7 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102386054A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 天野康弘;盛田美希 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 薄膜 以及 | ||
1.一种半导体装置用薄膜，其为在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以规定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到的半导体装置用薄膜，其特征在于，
23℃下胶粘薄膜的拉伸储能弹性模量Ea与23℃下覆盖薄膜的拉伸储能弹性模量Eb的比Ea/Eb在0.001～50的范围内。
2.如权利要求1所述的半导体装置用薄膜，其特征在于，
在温度23±2℃、剥离速度300mm/分钟的条件下的T型剥离试验中，所述胶粘薄膜与所述覆盖薄膜之间的剥离力F1在0.025～0.075N/100mm的范围内，所述胶粘薄膜与所述切割薄膜之间的剥离力F2在0.08～10N/100mm的范围内，并且所述F1与所述F2满足F1＜F2的关系。
3.如权利要求1所述的半导体装置用薄膜，其特征在于，
所述胶粘薄膜含有重均分子量为30万以上且150万以下的热塑性树脂。
4.如权利要求1所述的半导体装置用薄膜，其特征在于，
所述胶粘薄膜含有使单体成分聚合而得到的热塑性树脂，所述单体成分含有含羧基单体。
5.如权利要求1所述的半导体装置用薄膜，其特征在于，
所述胶粘薄膜含有作为热塑性树脂的丙烯酸类树脂，
并且，所述丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度为20℃以下。
6.如权利要求1所述的半导体装置用薄膜，其特征在于，
23℃下胶粘薄膜的拉伸储能弹性模量Ea为5～5000MPa。
7.如权利要求1所述的半导体装置用薄膜，其特征在于，
23℃下覆盖薄膜的拉伸储能弹性模量Eb为5～5000MPa。
8.一种半导体装置，其中，使用权利要求1～7中任一项所述的半导体装置用薄膜进行制造。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
