[发明专利]半导体装置用薄膜以及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置用薄膜、以及使用该半导体装置用薄膜制造的半导体装置。

背景技术

以往，在半导体装置的制造过程中，在引线框和电极构件上固着半导体芯片时采用银浆。所述固着处理通过在引线框的芯片焊盘等上涂布浆状胶粘剂，在其上搭载半导体芯片并使浆状胶粘剂层固化来进行。

但是，浆料胶粘剂由于其粘度行为或劣化等而在涂布量或涂布形状等方面产生大的偏差。结果，形成的浆状胶粘剂厚度不均匀，因此半导体芯片的固着强度缺乏可靠性。即，在浆状胶粘剂的涂布量不足时，半导体芯片与电极构件之间的固着强度降低，从而在后续的丝焊工序中半导体芯片剥离。另一方面，在浆状胶粘剂的涂布量过多时，浆状胶粘剂会流延到半导体芯片上而产生特性不良，从而成品率和可靠性下降。这样的固着处理中的问题，伴随半导体芯片的大型化变得特别显著。因此，需要频繁地进行浆状胶粘剂的涂布量的控制，从而给作业性或生产率带来问题。

在该浆状胶粘剂的涂布工序中，有将浆状胶粘剂分别涂布到引线框和形成的芯片上的方法。但是，在该方法中，浆状胶粘剂层难以均匀化，并且浆状胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此，提出了切割薄膜、带有切割片的胶粘薄膜，其在切割工序中胶粘保持半导体芯片，并且也提供安装工序所需的芯片固着用胶粘剂层(例如，参考专利文献1)。

该带有切割片的胶粘薄膜以可剥离的方式在支撑基材上设置有胶粘剂层，在该胶粘剂层的保持下对半导体晶片进行切割后，拉伸支撑基材将形成的芯片与胶粘剂层一起剥离，将其分别回收，并通过该胶粘剂层将其固着到引线框等被粘物上。

以往，由于受到制造工序上的制约，带有切割片的胶粘薄膜是分别制作切割薄膜和胶粘薄膜，然后将二者粘贴而制作的。因此，在各薄膜的制作工序中，从防止产生松弛或卷绕偏移、位置偏移、空隙(气泡)等的观点考虑，在利用辊进行运送时，在对各薄膜施加拉伸张力的同时对其进行制作。

这种带有切割片的胶粘薄膜，在高温、高湿的环境下放置、或者在施加有负荷的状态下长期保存时，有时发生固化。结果，导致胶粘剂层的流动性和对半导体晶片的保持力下降、切割后的剥离性下降。因此，多数情况下在-30～-10℃的冷冻状态、或者-5～10℃的冷藏状态下将带有切割片的胶粘薄膜进行保存的同时进行运输，由此可以长期保持薄膜特性。

考虑到对半导体晶片的粘贴、切割时对贴片环框(リングフレ一ム)的安装等的作业性，作为上述的带有切割片的胶粘薄膜，存在预先加工为待粘贴的半导体晶片的形状(例如圆形)的、实施了预切割加工的胶粘薄膜。

这样的带有切割片的胶粘薄膜，通过在基材层上层叠有粘合剂层的切割薄膜上粘贴冲裁为圆形的胶粘薄膜后，将切割薄膜冲裁为与贴片环框对应的圆形而制造。由此，在切割半导体晶片时，可以将贴片环框粘贴到切割薄膜的外周部从而将带有切割片的胶粘薄膜固定。

预切割加工后的带有切割片的胶粘薄膜，在以规定的间隔粘贴到长尺寸的覆盖薄膜上后，卷绕为卷筒状，作为半导体装置用薄膜进行运输和保存。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭60-57642号公报

发明内容

但是，在上述的半导体装置用薄膜的情况下，层叠有带有切割片的胶粘薄膜的部分的厚度比未进行层叠的部分的厚度厚。因此，特别是在卷绕数增大、卷绕时的张力增高的情况下，一个带有切割片的胶粘薄膜的边缘被按压在另一个带有切割片的胶粘薄膜上，从而将卷绕印迹(巻き跡)转印在后者上，有时胶粘薄膜的平滑性受到损害。这样的转印痕迹，特别是在胶粘薄膜由比较柔软的树脂形成的情况、胶粘薄膜的厚度厚的情况、以及半导体装置用薄膜的卷绕数多的情况等情况下显著产生。而且，在将由于具有这样的转印痕迹而缺乏平滑性的胶粘薄膜粘贴到半导体晶片上时，在半导体晶片与胶粘薄膜之间会产生空隙(气泡)。这样的空隙在半导体晶片加工时会导致缺陷，从而有可能使所制造的半导体装置的成品率降低。

因此，为了抑制上述转印痕迹的产生，考虑了降低半导体装置用薄膜的卷绕压力的方法。但是，这样的方法有可能会产生卷绕偏移，从而在实际使用时造成障碍，例如，难以设置到胶带安装工具上等。

本发明鉴于上述问题而创立，其目的在于提供一种半导体装置用薄膜，该半导体装置用薄膜为，在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以规定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到的半导体装置用薄膜，在将该半导体装置用薄膜卷绕为卷筒状时，可以抑制在胶粘薄膜上产生转印痕迹。