[发明专利]用于集成电路封装件的多步骤成型方法和装置有效
申请号: | 201110285150.8 | 申请日: | 2008-02-11 |
公开(公告)号: | CN102339765A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | R·W·恩格尔;N·夏尔马;W·P·泰勒 | 申请(专利权)人: | 阿莱戈微系统公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;G01D11/24 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张文达 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 集成电路 封装 步骤 成型 方法 装置 | ||
1.一种方法,其包括:
将裸晶连接到具有引线指状部的引线框架上;
将接合引线连接到裸晶和引线指状部之间;
在接合引线、裸晶、引线指状部的至少一部分上施加第一成型材料,以形成组件;
等待直至第一成型材料至少部分地硬化;以及
在所形成的组件上施加第二成型材料。
2.如权利要求1所述的方法,其包括仅在引线框的裸晶侧施加成型材料。
3.如权利要求1所述的方法,其包括施加第一成型材料以封装着接合引线。
4.如权利要求3所述的方法,其包括施加第一成型材料以在引线框上封装着裸晶。
5.如权利要求1所述的方法,其包括至少部分地基于与磁体的膨胀系数的相似性,来选择第一成型材料所用的材料。
6.如权利要求1所述的方法,其中第一成型材料和第二成型材料是不同的。
7.如权利要求1所述的方法,其包括至少部分地基于填充料的尺寸,来选择用于第一成型材料和/或第二成型材料所用的材料。
8.如权利要求1所述的方法,其包括在某一压力下施加第二成型材料,其中施加第二成型材料所用的压力显著地高于施加第一成型材料所用的压力。
9.如权利要求8所述的方法,其包括在一定压力下施加第二成型材料,以消除在形成了磁性传感器的一部分的磁体中或其周围的空隙。
10.如权利要求1所述的方法,其中所述裸晶包括磁场传感器。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述磁场传感器包括一个或多个霍尔元件。
12.如权利要求10所述的方法,其中所述磁场传感器包括磁阻元件。
13.如权利要求1所述的方法,其还包括将集中器连接到组件上。
14.如权利要求1所述的方法,其中所述接合引线包括金线。
15.如权利要求1所述的方法,其包括在引线框中设置一个或多个凹口,以将裸晶紧固就位。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿莱戈微系统公司,未经阿莱戈微系统公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110285150.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造