[发明专利]用于集成电路封装件的多步骤成型方法和装置有效

专利信息
申请号: 201110285150.8 申请日: 2008-02-11
公开(公告)号: CN102339765A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: R·W·恩格尔;N·夏尔马;W·P·泰勒 申请(专利权)人: 阿莱戈微系统公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;G01D11/24
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 张文达
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 集成电路 封装 步骤 成型 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种方法,其包括:

将裸晶连接到具有引线指状部的引线框架上;

将接合引线连接到裸晶和引线指状部之间;

在接合引线、裸晶、引线指状部的至少一部分上施加第一成型材料,以形成组件;

等待直至第一成型材料至少部分地硬化;以及

在所形成的组件上施加第二成型材料。

2.如权利要求1所述的方法,其包括仅在引线框的裸晶侧施加成型材料。

3.如权利要求1所述的方法,其包括施加第一成型材料以封装着接合引线。

4.如权利要求3所述的方法,其包括施加第一成型材料以在引线框上封装着裸晶。

5.如权利要求1所述的方法,其包括至少部分地基于与磁体的膨胀系数的相似性,来选择第一成型材料所用的材料。

6.如权利要求1所述的方法,其中第一成型材料和第二成型材料是不同的。

7.如权利要求1所述的方法,其包括至少部分地基于填充料的尺寸,来选择用于第一成型材料和/或第二成型材料所用的材料。

8.如权利要求1所述的方法,其包括在某一压力下施加第二成型材料,其中施加第二成型材料所用的压力显著地高于施加第一成型材料所用的压力。

9.如权利要求8所述的方法,其包括在一定压力下施加第二成型材料,以消除在形成了磁性传感器的一部分的磁体中或其周围的空隙。

10.如权利要求1所述的方法,其中所述裸晶包括磁场传感器。

11.如权利要求10所述的方法,其中所述磁场传感器包括一个或多个霍尔元件。

12.如权利要求10所述的方法,其中所述磁场传感器包括磁阻元件。

13.如权利要求1所述的方法,其还包括将集中器连接到组件上。

14.如权利要求1所述的方法,其中所述接合引线包括金线。

15.如权利要求1所述的方法,其包括在引线框中设置一个或多个凹口,以将裸晶紧固就位。

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