[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其中包括：

在第1导电型的半导体衬底形成成为高浓度漏极的第2导电型的埋入层的工序；

在所述埋入层上形成成为低浓度漏极的第2导电型的外延层的工序；

在所述外延层内形成成为体区域的第1导电型的第1扩散层区域的工序；

形成从所述第1扩散层区域延展到所述外延层内的深沟槽区域的工序；

在所述深沟槽区域的内壁形成栅极绝缘膜的工序；

与所述栅极绝缘膜相接，在所述深沟槽区域内填充多晶硅从而形成栅极电极的工序；

在所述第1扩散层区域表面形成第2导电型的源极区域的工序；

从所述第1扩散层区域表面，并在与所述深沟槽区域分开的位置，向成为所述第1扩散层区域的底部的区域离子注入杂质，与所述第1扩散层区域相连续地形成成为向所述外延层延伸的延伸体区域的第1导电型的第2扩散层区域的工序；以及

在所述第1扩散层区域表面形成成为体接触区域的第1导电型的高浓度扩散层的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

形成所述第1扩散层区域的离子注入的加速能量在50～250keV的范围，形成所述第2扩散层区域的离子注入的加速能量在100～1000keV的范围，且比形成所述第1扩散层区域的离子注入的加速能量高。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第2扩散层区域使用与形成成为所述体接触层区域的第1导电型的高浓度扩散层的掩模图案相同的掩模图案而形成。

4.一种半导体装置的制造方法，其中包括：

在第1导电型的半导体衬底形成成为高浓度漏极的第2导电型的埋入层的工序；

在所述埋入层上形成成为低浓度漏极的第2导电型的外延层的工序；

在所述外延层表面、在与之后形成的深沟槽区域分开的位置形成浅沟槽区域的工序；

通过从所述外延层表面经由所述浅沟槽区域进行离子注入，形成具有反映所述外延层表面的形状的杂质分布形状的、成为体区域的第1导电型的扩散层区域的工序；

形成从所述扩散层区域延展至所述外延层内的所述深沟槽区域的工序；

在所述深沟槽区域的内壁形成栅极绝缘膜的工序；

与所述栅极绝缘膜相接，并在所述深沟槽区域内填充多晶硅从而形成栅极电极的工序；

在所述扩散层区域表面形成第2导电型的源极区域的工序；以及

在所述扩散层区域表面形成成为体接触区域的第1导电型的高浓度扩散层的工序。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述浅沟槽的深度在200nm～600nm的范围内。

6.一种半导体装置，其中包括：

第1导电型的半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成的成为高浓度漏极的第2导电型的埋入层；

在所述埋入层上形成的成为低浓度漏极的第2导电型的外延层；

在所述第2导电型的外延层内形成的成为体区域的第1导电型的第1扩散层区域；

从所述第1扩散层区域延展至所述外延层内而形成的深沟槽区域；

在所述深沟槽区域的内壁形成的栅极绝缘膜；

与所述栅极绝缘膜相接的，由在所述深沟槽区域内填充的多晶硅构成的栅极电极；

在所述第1扩散层区域表面形成的第2导电型的源极区域；以及

在所述第1扩散层区域表面形成的成为体接触区域的第1导电型的高浓度扩散层，

所述第1扩散层区域是在与所述深沟槽区域分开的位置具有在底部向所述外延层延伸的第2扩散层区域的形状。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第2扩散层区域位于所述体接触区域的下方。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

还具有在所述外延层的表面形成的浅沟槽区域，所述第2扩散层区域位于所述浅沟槽区域的下方。