[发明专利]硬掩模组合物和形成图案的方法、以及包括图案的半导体集成电路器件

权利要求书

1.一种硬掩模组合物，包含：

含芳环化合物和溶剂，所述含芳环化合物包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分中的至少一种：

[化学式1]

[化学式2]

其中，在化学式1或2中，

Ar是芳环基团，

R₁至R₃各自独立地是单键、取代或未取代的C1至C30亚烷基基团、取代或未取代的C3至C30亚环烷基基团、取代或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代或未取代的C3至C30亚环烯基基团、取代或未取代的C7至C20亚芳烷基基团、取代或未取代的C1至C20亚杂烷基基团、取代或未取代的C2至C30亚杂环烷基基团、取代或未取代的C2至C30亚杂芳基基团、取代或未取代的C2至C30亚烯基基团、取代或未取代的C2至C30亚炔基基团、或它们的组合，以及

n是1至100。

2.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，所述Ar是选自在以下组1中所示的取代或未取代的芳环基团中的一种：

[组1]

其中，R₈至R₄₆各自独立地是氢、羟基基团、卤素、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C3至C30环烯基基团、取代或未取代的C7至C20芳烷基基团、取代或未取代的C1至C20杂烷基基团、取代或未取代的C2至C30杂环烷基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团、取代或未取代的C2至C30烯基基团、取代或未取代的C2至C30炔基基团、或它们的组合，以及

n₈至n₄₆各自独立地是1至5。

3.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，R₁至R₃独立地是选自在以下组2中所示的取代或未取代的偶联剂中的一种：

[组2]

其中，R₄₇至R₉₁各自独立地是氢、羟基基团、卤素、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C3至C30环烯基基团、取代或未取代的C7至C20芳烷基基团、取代或未取代的C1至C20杂烷基基团、取代或未取代的C2至C30杂环烷基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团、取代或未取代的C2至C30烯基基团、取代或未取代的C2至C30炔基基团、或它们的组合。

4.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，所述含芳环化合物具有范围从1000至30,000的重均分子量。

5.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，

基于100重量份的所述溶剂，所述含芳环化合物以1至20重量份的量被包括。

6.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，所述溶剂包括选自由丙二醇、丙二醇二乙酸酯、甲氧基丙二醇、二乙二醇、二乙二醇丁醚、三(乙二醇)单甲醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、环己酮、乳酸乙酯、γ-丁内酯、以及乙酰丙酮组成的组中的至少一种。