[发明专利]焊盘、具有焊盘的绝缘体上硅器件

权利要求书

1.一种焊盘，其特征在于，包括若干焊盘金属层，靠近半导体衬底的焊 盘金属层被分割为相互分离的若干部分，所述焊盘金属层的相互分离的若干 部分均通过填充有导电金属的通孔电连接至相邻的焊盘金属层，所述靠近半 导体衬底的焊盘金属层与半导体衬底之间设有层间介质层。

2.根据权利要求1所述的焊盘，其特征在于，所述若干焊盘金属层的层 数为两层。

3.一种绝缘体上硅器件，其特征在于，包括：

绝缘体上硅衬底，包括硅基板、形成于所述硅基板上的埋入氧化层、形 成于所述埋入氧化层上的硅层，所述硅层内设有源区、漏区及用于隔绝所述 源区、漏区的STI隔离区；

如权利要求1至2任一项所述的焊盘，所述靠近半导体衬底的焊盘金属 层的位置对应所述STI隔离区；

所述STI隔离区上覆盖有一层接地的导电层；

所述靠近半导体衬底的焊盘金属层与所述导电层之间设有层间介质层。

4.根据权利要求3所述的绝缘体上硅器件，其特征在于，所述导电层上设 有填充有导电金属的第二通孔，所述第二通孔连接金属层，所述金属层接地。

5.根据权利要求3所述的绝缘体上硅器件，其特征在于，所述导电层的材 料为钛、氮化钛、铝、铝的合金、铜、铜的合金、掺杂硅、硅的金属化物中 的一种。

6.一种绝缘体上硅器件，其特征在于，包括：

绝缘体上硅衬底，包括硅基板、形成于所述硅基板上的埋入氧化层、形 成于所述埋入氧化层上的硅层，所述硅层上设有源区、漏区及用于隔绝所述 源区、漏区的STI隔离区，所述STI隔离区的底部延伸至所述硅基板与所述 埋入氧化层之间的界面；

如权利要求1至2任一项所述的焊盘，所述靠近半导体衬底的焊盘金属 层的位置对应所述STI隔离区；

所述STI隔离区包括沟槽、沟槽填充氧化物，所述沟槽的表面与沟槽填 充氧化物之间设有接地的导电层。

7.根据权利要求6所述的绝缘体上硅器件，其特征在于，所述导电层上设 有填充有导电金属的第二通孔，所述第二通孔连接金属层，所述金属层接地。

8.根据权利要求6所述的绝缘体上硅器件，其特征在于，所述导电层的材 料为钛、氮化钛、铝、铝的合金、铜、铜的合金、掺杂硅、硅的金属化物中 的一种。