[发明专利]一种增加双大马士革结构介质阻挡层薄膜击穿电压的方法

权利要求书

1.一种增加双大马士革介质阻挡层薄膜击穿电压的方法，其工艺方法包括如下步骤：

步骤一，在含有铜导线的基体上淀积介质阻挡层，使所述介质阻挡层覆盖于所述铜导线与基体；

步骤二，在所述介质阻挡层上表面淀积层间介质层；

步骤三，在所述层间介质层上表面淀积介电质抗反射层；

步骤四，在所述介电质抗反射层上铺设光阻层。

2.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述步骤一中，所淀积的介质阻挡层的材料为高拉应力的氮化硅，其氮化硅中Si－H键与N－H键中的氢含量为H<20%。

3.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述基体与层间介质层材料为二氧化硅、碳氢氧化硅或掺杂氟的硅玻璃中任意一种。

4.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述介质阻挡层、层间介质层、电质抗反射层以及光阻层，均是利用化学气相淀积法所淀积的。

5.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述高拉应力氮化硅的应力为700Mpa至1.5Gpa。

6.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，在所述工艺方法中，腔室内的温度为300度至500度。